[發明專利]一種適用于大容量SIM卡芯片的新型LDO電路在審
| 申請號： | 201911124792.2 | 申請日： | 2019-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN112817358A | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 朱永成;霍俊杰;孫志亮 | 申請（專利權）人： | 北京紫光青藤微系統有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀區五道*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 容量 sim 芯片 新型 ldo 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種適用于大容量SIM卡芯片的新型LDO電路，其特征在于，所述LDO電路包括誤差放大器、第一采樣電阻、第二采樣電阻、第一功率管、電流源VCC、核心電壓VDD、控制信號、參考電流、參考電壓和狀態轉換控制電路，其中，狀態轉換控制電路包括脈沖發生電路和輔助偏置電路；
脈沖發生電路連接控制信號，并產生脈沖信號，脈沖信號連接并控制輔助偏置電路，輔助偏置電路連接誤差放大器的輸出端，第一功率管的柵端連接輔助偏置電路；
脈沖發生電路利用控制信號在切換時由低到高的變換，產生脈沖信號，輔助偏置電路在脈沖信號控制下，迫使第一功率管柵端電壓在所述LDO電路狀態切換時下降，第一功率管輸出電流滿足核心電壓負載需求，所述LDO電路狀態切換完成后，控制信號不再產生高低變換，所述LDO電路自動關閉。
2.如權利要求1所述的適用于大容量SIM卡芯片的新型LDO電路，其特征在于，所述脈沖發生電路由反相器、電容和或非門構成，反相器連接電容，電容連接或非門。
3.如權利要求1所述的適用于大容量SIM卡芯片的新型LDO電路，其特征在于，所述輔助偏置電路由電流源功率管、開關和電容構成。
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