[發明專利]發光二極管以及發光二極管制備方法

有效

• 申請號: 201911119309.1
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN110707188B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 王晟
• 申請（專利權）人: 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 石慧

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

襯底(10)；

緩沖層(20)、氮化鎵層(30)、N型半導體層(40)、應力釋放層(50)以及多量子阱層(60)，在所述襯底(10)表面依次層疊設置；

P型半導體層(70)，設置于所述多量子阱層(60)遠離所述應力釋放層(50)的表面；

所述P型半導體層(70)包括多個子半導體層(710)，所述多個子半導體層(710)層疊設置于所述多量子阱層(60)遠離所述應力釋放層(50)的表面；

每個所述子半導體層(710)包括AlN層(711)、摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)以及摻鎂InGaN層(713)；

所述AlN層(711)、所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)以及所述摻鎂InGaN層(713)依次層疊設置于所述多量子阱層(60)遠離所述應力釋放層(50)的表面；

在遠離所述多量子阱層(60)的方向，依次層疊設置的多個所述子半導體層(710)中所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)中x逐漸增加，y逐漸減少；

所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)的摻鎂濃度小于所述摻鎂InGaN層(713)的摻鎂濃度；

多個所述子半導體層(710)中所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)中x在0～0.18范圍內逐漸增加，所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)中y在0～0.82范圍內逐漸減少。

2.一種發光二極管制備方法，其特征在于，包括：

S10，提供襯底(10)，在所述襯底(10)表面依次制備緩沖層(20)、氮化鎵層(30)、N型半導體層(40)、應力釋放層(50)以及多量子阱層(60)；

S20，設置生長溫度740℃～940℃，在所述多量子阱層(60)遠離所述應力釋放層(50)的表面制備AlN層(711)；

S30，設置生長溫度720℃～920℃，在所述AlN層(711)遠離所述多量子阱層(60)的表面制備摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)；

S40，設置生長溫度700℃～880℃，在所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)遠離所述AlN層(711)的表面制備摻鎂InGaN層(713)；

S50，根據所述步驟S20～S40，在所述多量子阱層(60)遠離所述應力釋放層(50)的表面依次循環4～10次制備多個所述子半導體層(710)；

所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)的摻鎂濃度小于所述摻鎂InGaN層(713)的摻鎂濃度；

沿遠離所述多量子阱層(60)的方向，多個所述子半導體層(710)中所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)的x逐漸增加，y逐漸減少；

在所述步驟S50中，沿遠離所述多量子阱層(60)的方向，所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)中x在0～0.18范圍內逐漸增加，所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)中y在0～0.82范圍內逐漸減少。

3.如權利要求2所述的發光二極管制備方法，其特征在于，所述AlN層(711)的厚度為5埃～10埃，所述摻鎂In_xAl_yGa_1-x-yN層(712)的厚度為20埃～50埃，所述摻鎂InGaN層(713)的厚度為50埃～100埃。