[發明專利]半導體器件及三維封裝方法

在審

• 申請號: 201911118664.7
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN110838451A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 周天燊;馬書英;劉軼
• 申請（專利權）人: 華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 楊淑霞

1.一種三維封裝方法，其特征在于，所述三維封裝方法包括如下步驟：

S1、在裸片的背面形成連接至正面焊盤的通孔；

S2、在裸片的背面以及通孔中形成連接至焊盤的線路；

S3、在通孔的開口處形成一封閉所述開口，且延伸至所述通孔內部的保護蓋；

S4、在裸片的背面形成覆蓋所述保護蓋的阻焊層。

2.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，在形成連接至焊盤的線路之前，還包括：在裸片的背面以及通孔的孔壁上形成絕緣層。

3.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

S31、通過旋涂液態膠的方式，在裸片的背面通孔的開口處形成一層光刻膠層；

S32、在光刻膠層固化之前，靜置，使懸搭在通孔的開口處的光刻膠層延伸至通孔內部。

4.根據權利要求3所述的三維封裝方法，其特征在于，所述步驟S3還包括：

S33、使光刻膠層初步固化，形成靜置之后的形貌；

S34、通過曝光顯影的方式去掉通孔的開口處以外區域的光刻膠層；

S35、對曝光顯影的后剩余的光刻膠層進行二次固化定型。

5.根據權利要求4所述的三維封裝方法，其特征在于，通過軟烤的方式使光刻膠層初步固化，通過硬烤的方式使光刻膠層進行二次固化定型。

6.根據權利要求1～5任一項所述的三維封裝方法，其特征在于，所述保護蓋與阻焊層的材質不一致。

7.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：芯片、焊盤、互連層、保護蓋以及阻焊層；

所述芯片具有正面和背面，所述芯片的正面設置有所述焊盤，所述芯片的背面開設有連通至所述焊盤的通孔，所述互連層位于所述芯片的背面及通孔中并連接至所述焊盤，所述保護蓋扣合于所述通孔形成在背面的開口處，并封閉所述所在的開口，所述阻焊層設置于所述芯片的背面并覆蓋所述保護蓋的阻焊層。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述保護蓋延伸至所述通孔中。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述互連層與芯片之間還設置有絕緣層。

10.根據權利要求7～9任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述保護蓋與阻焊層的材質不一致。