[發明專利]沉積掩膜

有效

• 申請號: 201911112620.3
• 申請日: 2015-08-25
• 公開（公告）號: CN110923622B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 盧健鎬;曹守鉉;黃周炫;金南昊;李相范;林正龍;韓太勛;文炳律;樸宰奭;孫曉源
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;H01L51/00;H01L51/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 黃霖;潘煒

1.一種沉積掩膜，包括：

具有厚度的金屬板，

其中，所述金屬板包括垂直于所述厚度的方向并且彼此相反的第一表面和第二表面；

其中，多個單位孔具有第一表面孔和第二表面孔，所述第一表面孔和所述第二表面孔形成為分別穿過所述第一表面和所述第二表面以彼此連接，

其中，所述第一表面孔的內表面和所述第二表面孔的內表面中的至少一者具有等于或小于所述第一表面的算術平均粗糙度(Ra)的算術平均粗糙度(Ra)。

2.根據權利要求1所述的沉積掩膜，其中，所述第二表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)等于或大于所述第一表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)。

3.根據權利要求1所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面和所述第二表面孔的所述內表面中的至少一者的算術平均粗糙度(Ra)為1.0μm或更小。

4.根據權利要求1所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)、所述第二表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)以及所述第一表面的算術平均粗糙度(Ra)為1.0μm或更小。

5.根據權利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面、所述第二表面孔的所述內表面以及所述第一表面中的至少一者的算術平均粗糙度(Ra)在0.08μm至0.5μm的范圍內。

6.根據權利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)、所述第二表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)以及所述第一表面的算術平均粗糙度(Ra)在0.08μm至0.5μm的范圍內。

7.根據權利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面、所述第二表面孔的所述內表面以及所述第一表面中的至少一者的算術平均粗糙度(Ra)在0.15μm至0.3μm的范圍內。

8.根據權利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)、所述第二表面孔的所述內表面的算術平均粗糙度(Ra)以及所述第一表面的算術平均粗糙度(Ra)在0.15μm至0.3μm的范圍內。

9.根據權利要求1所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面、所述第二表面孔的所述內表面以及所述第一表面中的至少一者的微觀不平度十點高度(Rz)的值為3.0μm或更小。

10.根據權利要求1所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面、所述第二表面孔的所述內表面以及所述第一表面中的至少一者的微觀不平度十點高度(Rz)的值為2.5μm或更小。

11.根據權利要求1所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面的微觀不平度十點高度(Rz)的值、所述第二表面孔的所述內表面的微觀不平度十點高度(Rz)的值以及所述第一表面的微觀不平度十點高度(Rz)的值為2.5μm或更小。

12.根據權利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面、所述第二表面孔的所述內表面以及所述第一表面中的至少一者的微觀不平度十點高度(Rz)的值在1.5μm至2.5μm的范圍內。

13.根據權利要求3所述的沉積掩膜，其中，所述第一表面孔的所述內表面的微觀不平度十點高度(Rz)的值、所述第二表面孔的所述內表面的微觀不平度十點高度(Rz)的值以及所述第一表面的微觀不平度十點高度(Rz)的值在1.5μm至2.5μm的范圍內。