[發明專利]大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法及其精密切割裝置

在審

• 申請號: 201911110191.6
• 申請日: 2019-11-14
• 公開（公告）號: CN110896028A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 楊云龍;姜蘇;高陽;胡小波
• 申請（專利權）人: 江蘇京創先進電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/683;B24B27/06;B24B41/06
• 代理公司: 蘇州市小巨人知識產權代理事務所(普通合伙) 32415
• 代理人: 胡亞蘭

1.一種大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，所述半導體材料至少設有呈交叉或平行分布的第一預設切割道組和第二預設切割道組，根據各預設切割道組將半導體材料切割成若干目標切割芯片，且所述半導體材料的厚度大于其目標切割芯片顆粒的長度和寬度，所述精密切割步驟包括：將半導體材料直接或間接固定粘接在切割平臺上，采用刀片根據第一預設切割道組對所述半導體材料進行切斷加工，所述半導體材料形成第一切割縫組，向所述第一切割縫組內填充灌注支撐定型固化膠后，再采用刀片根據第二預設切割道組對所述半導體材料進行切斷加工，通過填充解膠工藝去除所述第一切割縫組內的灌注支撐定型固化膠，用于避免由于目標切割芯片顆粒重心高而導致目標切割芯片顆粒在粘接接觸面上的相對位移。

2.根據權利要求1所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，所述第一預設切割道組包括1個或多個呈平行分布的第一預設切割道；所述第二預設切割道組包括1個或多個呈平行分布的第二預設切割道，且所述第二預設切割道與所述第一預設切割道呈交叉或平行分布。

3.根據權利要求1所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，所述第一預設切割道組包括多個呈平行分布的第一預設切割道，所述第一預設切割道至少設有呈交替平行狀分布的第一預設切割道單元A和第一預設切割道單元B，其中，根據第一預設切割道組對所述半導體材料進行切斷加工的步驟包括：采用刀片根據第一預設切割道單元A對所述半導體材料進行切斷加工，所述半導體材料形成第一切割縫單元A，向所述第一切割縫單元A內填充灌注支撐定型固化膠后，再采用刀片根據第一預設切割道單元B對所述半導體材料進行切斷加工，所述半導體材料形成第一切割縫單元B，向所述第一切割縫單元B內填充灌注支撐定型固化膠。

4.根據權利要求2或3所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，所述第二預設切割道組包括多個呈平行分布的第二預設切割道，所述第二預設切割道至少設有呈交替平行狀分布的第二預設切割道單元A和第二預設切割道單元B，其中，根據第二預設切割道組對所述半導體材料進行切斷加工的步驟包括：采用刀片根據第二預設切割道單元A對所述半導體材料進行切斷加工，所述半導體材料形成第二切割縫單元A，向所述第二切割縫單元A內填充灌注支撐定型固化膠后，再采用刀片根據第二預設切割道單元B對所述半導體材料進行切斷加工，通過填充解膠工藝去除各切割縫單元內的灌注支撐定型固化膠，用于避免由于目標切割芯片顆粒重心高而導致目標切割芯片顆粒在粘接接觸面上的相對位移。

5.根據權利要求1所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，所述切割平臺采用真空吸附結構，在所述切割平臺上鋪設吸附防護膜，所述防護膜粘接固定硬質基板，所述硬質基板上固定粘接半導體材料。

6.根據權利要求1所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，在所述填充解膠工藝后，還包括固定粘接解膠工藝，用于將各目標切割芯片顆粒從所述粘接接觸面上脫落分揀。

7.根據權利要求1所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，所述灌注支撐定型固化膠是通過向所述第一切割縫組內填充膠水，該膠水經過固化后在所述第一切割縫組內形成；在向所述第一切割縫組內填充灌注支撐定型固化膠之前，可選擇性預先用氣槍去除清理所述半導體材料表面/和所述粘接接觸面上的殘留切削液。

8.根據權利要求1或7所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割方法，特征在于，所述支撐定型固化膠的膠水采用蟲膠液，和/或所述半導體材料的粘接劑采用松香石蠟膠。

9.一種大尺寸厚度半導體材料的精密切割裝置，其特征在于，包括與真空負壓源連接的切割平臺，所述切割平臺鋪設防護膜，所述防護膜上粘貼硬質基板，所述硬質基板通過粘接劑固定粘接半導體材料。

10.根據權利要求9所述的大尺寸厚度半導體材料的精密切割裝置，其特征在于，所述切割平臺下方設有與真空負壓源負壓連接的吸片真空管，所述防護膜采用藍膜或UV膜。