[發(fā)明專利]一種靶材的清洗方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911090091.1
• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN110670083A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學(xué)澤;楊恕鑒
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23G5/00
• 分類號: C23G5/00;C23C14/34
• 代理公司: 11659 北京遠(yuǎn)智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王巖

本發(fā)明提供了一種靶材的清洗方法，所述靶材的清洗方法包括如下步驟：(1)靶材表面涂覆清潔劑，然后進(jìn)行刷洗；(2)超聲波清洗刷洗后的靶材；(3)使用惰性氣體吹干超聲波清洗后靶材表面的水分，然后進(jìn)行真空干燥處理，得到清洗完成的靶材。所述靶材的清洗方法無需使用高壓水槍對靶材進(jìn)行清洗，清洗方法簡單且清潔劑的消耗量較低，有利于減少清洗成本；而且所述清洗方法產(chǎn)生的廢液量較少，有利于減輕廢液處理的壓力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種靶材的生產(chǎn)方法，尤其涉及一種靶材的清洗方法。

背景技術(shù)

PVD鍍膜技術(shù)是指利用物理方法，將材料源-固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法包括真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜或分子束外延。

濺射鍍膜技術(shù)為利用離子轟擊靶材表面，把靶材的原子擊出的現(xiàn)象為濺射。濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜。通常是利用氣體放電產(chǎn)生氣體電離，其正離子在電場作用下高速轟擊陰極靶材，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。

在濺射過程中，若靶材的表面附著有油污、灰塵、顆粒狀雜質(zhì)等異物會產(chǎn)生電弧放電，導(dǎo)致靶材的一部分變?yōu)槿廴趹B(tài)并產(chǎn)生向各個方向飛濺的濺沫，所述濺沫附著在基板上或附著在已經(jīng)成膜的鍍膜上，會使所形成的鍍膜質(zhì)量下降，從而造成產(chǎn)品的合格率下降，并導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。因此，濺射鍍膜過程中的靶材的清潔度對于濺射所形成的鍍膜的質(zhì)量、產(chǎn)品的合格率以及生產(chǎn)成本而言非常重要。在生產(chǎn)過程中為了保證靶材具有足夠的清潔度，需要對靶材進(jìn)行充分的清潔。

在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過程中，靶材濺射中無論是8寸生產(chǎn)線還是12寸生產(chǎn)線用到的靶材，均對靶材的焊接存在較高的要求，靶材的性能直接影響著濺射鍍膜技術(shù)的速度與質(zhì)量。靶材生產(chǎn)過程中的一道工序就是螺紋清洗，直接影響到靶材的焊接良率。

CN 107413715 A公開了一種靶材的清潔方法，該清潔方法采用高壓清洗工藝對靶材噴射清洗液，高壓清洗以高壓氣體為載體，高壓氣體的壓力為6-8MPa，該方法清洗過程中需要在高壓氣體的作用下噴射清洗液，氣體與清洗液的消耗量過大，易產(chǎn)生大量的有機(jī)廢水，不利于后期對清洗液進(jìn)行回收處理。

CN 108816929 A公開了一種鉭靶材生產(chǎn)過程中半成品鈦螺紋的清洗方法，包括如下步驟：將鉭螺紋超聲波處理3-10min后，表面涂抹清潔劑；然后經(jīng)過刷洗、吹干、真空干燥。該方法同樣存在使用高壓水槍清洗的步驟，存在耗水量過大，清洗成本高的缺點。

因此，提供一種方法簡單、成本較低且清洗液消耗少的靶材清洗方法具有重要的意義。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種靶材的清洗方法，所述靶材的清洗方法無需使用高壓水槍對靶材進(jìn)行清洗，清洗方法簡單且清潔劑的消耗量較低，有利于減少清洗成本。而且所述清洗方法產(chǎn)生的廢液量較少，有利于減輕廢液處理的壓力。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

優(yōu)選地，所述靶材的清洗方法包括如下步驟：

(1)靶材表面涂覆清潔劑，然后進(jìn)行刷洗；

(2)超聲波清洗刷洗后的靶材；

(3)使用惰性氣體吹干超聲波清洗后靶材表面的水分，然后進(jìn)行真空干燥處理，得到清洗完成的靶材。