[發明專利]MEMS移相器及其制作方法

有效

• 申請號: 201911082335.1
• 申請日: 2019-11-07
• 公開（公告）號: CN112787052B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 王瑛;武杰;李亮;唐粹偉;賈皓程;曹雪;丁天倫;車春城;劉昊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方傳感技術有限公司
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;H01P11/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳俊;閆小龍

本公開提供了一種MEMS移相器及其制作方法，該MEMS移相器包括：第一基板，其具有第一表面；共面波導，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一導電線和分別位于所述第一導電線兩側且與所述第一導電線絕緣的兩條第二導電線；以及多個電容橋，其位于所述共面波導遠離所述第一基板的一側，所述多個電容橋間隔排布且與所述第一導電線和所述第二導電線絕緣，并且所述多個電容橋的每一個與所述第一導電線交叉設置，其中所述第一基板的所述第一表面包括第一凹槽，并且所述第一導電線懸置在所述第一凹槽上方。

技術領域

本公開涉及微波器件技術領域，具體涉及一種MEMS移相器及其制作方法。

背景技術

在MEMS移相器中，信號通常在上部空氣和下部襯底中傳輸。信號在襯底介質中的損耗比在空氣介質中的損耗大很多，使得傳輸線的介質損耗較大。另外，MEMS移相器通常采用熔合鍵合、陽極鍵合、共晶鍵合、玻璃鍵合和熱壓鍵合等方法進行封裝。例如，在MEMS移相器的襯底上鍵合封裝帽進行封裝。襯底鍵合的封裝方法容易引進影響移相的應力，從而造成移相誤差和進一步的損耗。

發明內容

根據本公開的一方面，提供了一種MEMS移相器，包括：第一基板，其具有第一表面；共面波導，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一導電線和分別位于所述第一導電線兩側且與所述第一導電線絕緣的兩條第二導電線；以及多個電容橋，其位于所述共面波導遠離所述第一基板的一側，所述多個電容橋間隔排布且與所述第一導電線和所述第二導電線絕緣，并且所述多個電容橋的每一個與所述第一導電線交叉設置，其中所述第一基板的所述第一表面包括第一凹槽，并且所述第一導電線懸置在所述第一凹槽上方。

在一些實施例中，所述MEMS移相器還包括多個支撐部，其位于所述第一凹槽內并且配置成支撐所述第一導電線。

在一些實施例中，所述多個支撐部的每一個與所述第一基板是一體的。

在一些實施例中，所述多個電容橋的每一個在所述第一表面上的正投影與所述多個支撐部在所述第一表面上的正投影的相應一個存在交疊。

在一些實施例中，所述第一導電線的與所述支撐部接觸的部分具有第一寬度，所述第一導電線的位于所述多個支撐部的任意兩個相鄰支撐部之間的部分具有第二寬度，并且所述第一寬度大于所述第二寬度。

在一些實施例中，所述多個電容橋的每一個在所述第一表面上的正投影位于所述多個支撐部的相鄰兩個支撐部在所述第一表面上的正投影之間。

在一些實施例中，所述第一導電線的與所述多個支撐部接觸的部分具有第三寬度，所述第一導電線的位于所述多個支撐部的任意兩個相鄰支撐部之間且與所述多個電容橋的任何一個在所述第一表面上的正投影無重疊的部分具有第四寬度，所述第一導電線的與所述多個電容橋的每一個在所述第一表面上的正投影重疊的部分具有第五寬度，并且所述第三寬度大于第四寬度，并且第四寬度大于第五寬度。

在一些實施例中，在與所述第一表面平行的平面內，所述第一凹槽在垂直于所述第一導電線的方向上的寬度是所述四寬度的3-6倍。

在一些實施例中，所述MEMS移相器還包括設置在所述第二導電線上的絕緣層，其中所述多個電容橋的每一個包括第一端部、第二端部以及位于其間的中間部，并且所述第一端部和所述第二端部設置在所述絕緣層上。

在一些實施例中，所述MEMS移相器還包括與所述第一基板相對設置的第二基板，其中所述第二基板具有面向所述第一基板的第二表面，所述第二表面包括第二凹槽，并且所述多個電容橋的每一個的所述中間部設置在所述第二凹槽中。

在一些實施例中，所述第一凹槽、所述第一導電線和所述第二導電線在所述第一表面上的正投影沿第一方向延伸，所述多個電容橋在所述第一表面上的正投影沿第二方向延伸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。