[發(fā)明專利]COA型陣列基板及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911079382.0
• 申請(qǐng)日: 2019-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN110941123A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李蘭艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本發(fā)明公開一種COA型陣列基板及其制造方法，其中所述COA型陣列基板包含：一襯底基板、一TFT陣列結(jié)構(gòu)、一第一保護(hù)層、一彩色光阻層、一第二保護(hù)層、一導(dǎo)電層及一間隔層。所述TFT陣列結(jié)構(gòu)設(shè)于所述襯底基板上。所述第一保護(hù)層設(shè)于所述TFT陣列結(jié)構(gòu)上。所述彩色光阻層設(shè)于所述第一保護(hù)層上。所述第二保護(hù)層設(shè)于所述彩色光阻層上，其中一通孔貫穿所述第二保護(hù)層、所述彩色光阻層及所述第一保護(hù)層。所述導(dǎo)電層設(shè)于所述第二保護(hù)層上以及所述通孔內(nèi)，其中所述導(dǎo)電層電性連接所述TFT陣列結(jié)構(gòu)。所述間隔層設(shè)于所述導(dǎo)電層上以及填充于所述通孔內(nèi)。所述COA型陣列基板可避免斜紋痕跡及產(chǎn)品成本上升的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板及其制造方法，特別是有關(guān)于一種COA型陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

液晶面板包括陣列基板，彩色濾光片基板和夾在所述陣列基板和所述彩色濾光片基板之間的液晶層，其中主要是通過電路產(chǎn)生電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶分子，以使液晶產(chǎn)生不同的光學(xué)效應(yīng)。

陣列上的彩色濾光片(color filter on array；COA)的技術(shù)是一種在薄膜晶體管(TFT)的一側(cè)制作彩色濾光片的技術(shù)，用以減少寄生電容并增加產(chǎn)品開口率。另外，許多公司已結(jié)合使用COA和陣列上的有機(jī)薄膜(Polymer Film on Array；PFA)技術(shù)來進(jìn)一步改善開口率。然而，這種設(shè)計(jì)還會(huì)導(dǎo)致基板的通孔(via hole)的深度增加，這很容易在后續(xù)的進(jìn)行聚酰亞胺薄膜(PI)的涂布中引起問題，從而導(dǎo)致顯示面板的光線不均勻，進(jìn)而產(chǎn)生斜紋痕跡(又稱mura)。此外，由于通孔的深度增加，使得需要填充更多的液晶分子才能達(dá)到相同的效果，故產(chǎn)品成本上升。

故，有必要提供一種COA型陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種COA型陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的斜紋痕跡(又稱mura)及產(chǎn)品成本上升的問題。

本發(fā)明的一目的在于提供一種COA型陣列基板及其制造方法，通過在通孔中填充間隔層，以避免斜紋痕跡及產(chǎn)品成本上升的問題。

為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種COA型陣列基板，其中所述COA型陣列基板包含：一襯底基板、一薄膜晶體管(TFT)陣列結(jié)構(gòu)、一第一保護(hù)層、一彩色光阻層、一第二保護(hù)層、一導(dǎo)電層及一間隔層。所述TFT陣列結(jié)構(gòu)設(shè)于所述襯底基板上。所述第一保護(hù)層設(shè)于所述TFT陣列結(jié)構(gòu)上。所述彩色光阻層設(shè)于所述第一保護(hù)層上。所述第二保護(hù)層設(shè)于所述彩色光阻層上，其中一通孔貫穿所述第二保護(hù)層、所述彩色光阻層及所述第一保護(hù)層。所述導(dǎo)電層設(shè)于所述第二保護(hù)層上以及所述通孔內(nèi)，其中所述導(dǎo)電層電性連接所述TFT陣列結(jié)構(gòu)。所述間隔層設(shè)于所述導(dǎo)電層上以及填充于所述通孔內(nèi)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，填充于所述通孔內(nèi)的所述間隔層與所述導(dǎo)電層形成一平坦表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一保護(hù)層的材質(zhì)包含一絕緣材料。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第二保護(hù)層的材質(zhì)包含一有機(jī)絕緣材料及一無機(jī)絕緣材料中的至少一種。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)包含：一柵極層、一柵極絕緣層及一有源層。所述柵極層設(shè)于所述襯底基板上。所述柵極絕緣層設(shè)于所述柵極層上。所述有源層設(shè)于所述柵極絕緣層上，其中所述有源層包含一源極摻雜區(qū)、一漏極摻雜區(qū)及一溝道區(qū)，所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極摻雜區(qū)與所述漏極摻雜區(qū)之間，以及所述導(dǎo)電層通過所述通孔電性連接所述漏極摻雜區(qū)。