[發(fā)明專利]COA型陣列基板及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911079382.0
• 申請(qǐng)日: 2019-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110941123A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李蘭艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種COA型陣列基板，其特征在于：所述COA型陣列基板包含：

一襯底基板；

一TFT陣列結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述襯底基板上；

一第一保護(hù)層，設(shè)于所述TFT陣列結(jié)構(gòu)上；

一彩色光阻層，設(shè)于所述第一保護(hù)層上；

一第二保護(hù)層，設(shè)于所述彩色光阻層上，其中一通孔貫穿所述第二保護(hù)層、所述彩色光阻層及所述第一保護(hù)層；

一導(dǎo)電層，設(shè)于所述第二保護(hù)層上以及所述通孔內(nèi)，其中所述導(dǎo)電層電性連接所述TFT陣列結(jié)構(gòu)；及

一間隔層，設(shè)于所述導(dǎo)電層上以及填充于所述通孔內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于：填充于所述通孔內(nèi)的所述間隔層與所述導(dǎo)電層形成一平坦表面。

3.如權(quán)利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于：所述第一保護(hù)層的材質(zhì)包含一絕緣材料。

4.如權(quán)利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于：所述第二保護(hù)層的材質(zhì)包含一有機(jī)絕緣材料及一無(wú)機(jī)絕緣材料中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的COA型陣列基板，其特征在于：所述TFT陣列結(jié)構(gòu)包含：

一柵極層，設(shè)于所述襯底基板上；

一柵極絕緣層，設(shè)于所述柵極層上；及

一有源層，設(shè)于所述柵極絕緣層上，其中所述有源層包含一源極摻雜區(qū)、一漏極摻雜區(qū)及一溝道區(qū)，所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極摻雜區(qū)與所述漏極摻雜區(qū)之間，以及所述導(dǎo)電層通過(guò)所述通孔電性連接所述漏極摻雜區(qū)。

6.一種COA型陣列基板的制造方法，其特征在于：所述COA型陣列基板的制造方法包含步驟：

提供一襯底基板；

形成一TFT陣列結(jié)構(gòu)于所述襯底基板上；

形成一第一保護(hù)層于所述TFT陣列結(jié)構(gòu)上；

形成一彩色光阻層于所述第一保護(hù)層上；

形成一第二保護(hù)層于所述彩色光阻層上；

形成一通孔貫穿所述第二保護(hù)層、所述彩色光阻層及所述第一保護(hù)層；

形成一導(dǎo)電層于所述第二保護(hù)層上以及所述通孔內(nèi)，其中所述導(dǎo)電層電性連接所述TFT陣列結(jié)構(gòu)；及

形成一間隔層于所述導(dǎo)電層上以及填充所述間隔層于所述通孔內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的COA型陣列基板的制造方法，其特征在于：填充于所述通孔內(nèi)的所述間隔層與所述導(dǎo)電層形成一平坦表面。

8.如權(quán)利要求6所述的COA型陣列基板的制造方法，其特征在于：所述第一保護(hù)層的材質(zhì)包含一絕緣材料。

9.如權(quán)利要求6所述的COA型陣列基板的制造方法，其特征在于：所述第二保護(hù)層的材質(zhì)包含一有機(jī)絕緣材料及一無(wú)機(jī)絕緣材料中的至少一種。

10.如權(quán)利要求6所述的COA型陣列基板的制造方法，其特征在于：所述間隔層通過(guò)一半色調(diào)光掩膜或一灰色調(diào)光掩膜形成。