[發明專利]一種信號沿檢測延時電路、電器及信號沿檢測延時裝置有效
| 申請號: | 201911072877.0 | 申請日: | 2019-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112769430B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 柳婧;王文情;羅碩;陳剛 | 申請(專利權)人: | 比亞迪半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K21/40 | 分類號: | H03K21/40;G05F1/56 |
| 代理公司: | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 姚章國 |
| 地址: | 518119 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 信號 檢測 延時 電路 電器 裝置 | ||
1.一種信號沿檢測延時電路,其特征在于,所述信號沿檢測延時電路包括順次連接的沿觸發單元、沿延時單元和波形處理單元;
所述沿觸發單元,用于對輸入數字信號的上升沿和下降沿分別觸發以生成沿信號;所述沿延時單元,用于對所述沿信號進行相同延時;所述波形處理單元,用于將經過延時的所述沿信號整合為新的數字信號并輸出;
所述沿延時單元包括第一非門、施密特觸發器、電容、電流源、第一MOS管和第二MOS管;其中,所述第一MOS管和所述電流源連接;
所述第一MOS管和所述電流源連接,具體包括:
所述第一MOS管的源極連接所述電流源,所述第一MOS管的漏極和所述第二MOS管的漏極連接,所述第一MOS管的柵極和所述第二MOS管的柵極連接,以及所述第二MOS管的源極接地;
MOS管的柵極與所述沿觸發單元的輸出端連接,所述MOS管的漏極與所述電容的第一端連接,所述電容的第二端接地,所述MOS管包括所述第一MOS管和所述第二MOS管;
所述電容的第一端和所述施密特觸發器的輸入端連接,所述施密特觸發器的輸出端與所述第一非門的輸入端連接,所述第一非門的輸出端連接所述波形處理單元的輸入端。
2.根據權利要求1所述的信號沿檢測延時電路,其特征在于,所述沿觸發單元和所述波形處理單元反饋連接。
3.根據權利要求2所述的信號沿檢測延時電路,其特征在于,所述沿觸發單元包括第一與非門、第二與非門、第一或非門、第二或非門、第三或非門和第二非門;
其中,所述第一與非門的第一輸入端用于輸入所述數字信號,所述第一與非門的第二輸入端用于輸入使能信號,并與所述第二非門的輸入端連接,所述第一與非門的輸出端分別連接所述第一或非門的第一輸入端、所述第二與非門的第一輸入端和所述波形處理單元中第四或非門的第一輸入端,
所述第一或非門的第二輸入端和所述第二與非門的第二輸入端連接,所述第一或非門的輸出端連接所述第二或非門的第一輸入端,所述第二與非門的輸出端連接所述第三或非門的第一輸入端,
所述第三或非門的第二輸入端連接所述第二非門的輸出端,所述第三或非門的輸出端連接所述第二或非門的第二輸入端,所述第二或非門的輸出端連接所述沿延時單元的輸入端。
4.根據權利要求3所述的信號沿檢測延時電路,其特征在于,所述波形處理單元包括第三與非門、第四與非門、第三非門、所述第四或非門和RS觸發器;
其中,所述沿延時單元的輸出端分別連接所述第三與非門的第一輸入端和所述第三非門的輸入端,所述第三與非門的第二輸入端連接所述第四或非門的第一輸入端,所述第三與非門的輸出端連接所述第四與非門的第一輸入端,所述第四與非門的第二輸入端用于輸入使能信號,所述第三非門的輸出端連接所述第四或非門的第二輸入端;
所述第四或非門的輸出端連接所述RS觸發器的S端,所述第四與非門連接所述RS觸發器的R端,所述RS觸發器的輸出端連接所述沿觸發單元中所述第二與非門的第二輸入端。
5.一種電器,其特征在于,包括如權利要求1-4任意一項所述的信號沿檢測延時電路。
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