[發明專利]一種低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法有效
| 申請號： | 201911055232.6 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN110745810B | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 王延相;姚志強;王成國;魏化震;秦建杰;崔博文;馬子明;岳陽;王永博 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C01B32/162 | 分類號： | C01B32/162;C01B32/05 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人： | 鄭平 |
| 地址： | 250061 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 表面 快速 生長 納米 制備 方法 | ||
1.一種低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法，其特征在于，包括：
將碳布脫漿、表面氧化、在硝酸鐵和硝酸鈷存在的條件下，進行氣相沉積CVD，形成碳納米管；
所述硝酸鐵和硝酸鈷的摩爾比為1～1.5：1～1.5；
所述氣相沉積過程中，壓力為0.01～0.03MPa，反應溫度為380-430℃，氣體組成為N2、C2H2和H2。
2.如權利要求1所述的低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法，其特征在于，所述碳布脫漿的具體步驟為在惰性氣體保護下，于400℃～480℃下保溫1～2h。
3.如權利要求1所述的低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法，其特征在于，所述表面氧化采用過氧化氫作氧化劑，在60～80℃下，保溫1.5h，取出、烘干。
4.如權利要求1所述的低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法，其特征在于，所述硝酸鐵和硝酸鈷溶解在乙醇溶液中，溶液中金屬離子的總濃度為0.03～0.08mol/L。
5.如權利要求1所述的低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法，其特征在于，表面氧化后的碳布在硝酸鐵和硝酸鈷的乙醇溶液中浸漬8～12min。
6.如權利要求1所述的低溫下在碳布表面快速生長碳納米管的制備方法，其特征在于，所述N2、C2H2和H2的流量比為8～12：3～8：3～8。
7.權利要求1-6任一項所述的方法制備的在碳納米管/碳布增強體。
8.權利要求7所述的碳納米管/碳布增強體在航空航天和油氣工業領域中的應用。
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