[發(fā)明專利]電控變色玻璃制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911044196.3
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112745038B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設計）人: 呂敬書;許希文;廖敏行
• 申請（專利權）人: 傳奇視界有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36;C03C17/34;G02F1/1524;G02F1/153
• 代理公司: 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 44393
• 代理人: 李慧

本發(fā)明實施例公開的一種電控變色玻璃制備方法，包括：提供玻璃基底；在所述玻璃基底上形成第一導電層；在所述第一導電層上形成第一復合變色層；在所述第一復合變色層上形成離子導體層；在所述離子導體層上形成第二復合變色層；在所述第二復合變色層上形成第二導電層；以及在所述第二導電層上形成介質(zhì)保護層。該電控變色玻璃制備方法制備的電控變色玻璃可以提升其在大面積產(chǎn)品器件的變色均勻性。

技術領域

本發(fā)明涉及一種玻璃制備技術領域，尤其是一種電控變色玻璃制備方法。

背景技術

目前電控變色玻璃產(chǎn)業(yè)化過程中，電控變色玻璃在大面積產(chǎn)品器件的變色均勻性及變色周期循環(huán)壽命上還存在很多缺陷，其變色材料主要為WO₃材料。WO₃材料是一種眾所周知的高效的陰極變色材料，通過化學的氧化與還原反應，控制WO₃中W的價態(tài)變化，可以實現(xiàn)對光譜的吸收調(diào)控作用。但由于其存在大面積變色不均勻，周期循環(huán)壽命短等，循環(huán)到一定次數(shù)后，電極附近變色功能衰減嚴重甚至不變色，大大影響了其在工程中的應用。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種電控變色玻璃制備方法，以提升電控變色玻璃在大面積產(chǎn)品器件的變色均勻性。

具體地，本發(fā)明實施例提供的一種電控變色玻璃制備方法，包括：提供玻璃基底，并將所述玻璃基底升溫至280-300℃；以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一種或至少兩種的組合為靶材材料，在真空濺射氣壓為1.0E^-3～9.0E^-3mbar條件下沉積第一導電層至所述玻璃基底上；以W、Mo、Nb、Ti、Ta中至少兩種組合的氧化物為第一靶材材料，以Ni、V、Co、Ir、Fe、Mn中至少兩種組合的氧化物為第二靶材材料，在真空濺射氣壓為1.0E^-3～9.0E^-3mbar條件下沉積第一復合變色層至所述第一導電層上；以H、Li、Na、K、Mg元素的一種或者至少兩種的組合為靶材材料，在真空濺射氣壓為1.0E^-3～9.0E^-3mbar條件下沉積離子導體層至所述第一復合變色層上；以W、Mo、Nb、Ti、Ta中至少兩種組合的氧化物為第三靶材材料，以Ni、V、Co、Ir、Fe、Mn中至少兩種組合的氧化物為第四靶材材料，在真空濺射氣壓為1.0E^-3～9.0E^-3mbar條件下沉積第二復合變色層至所述離子導體層上；以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一種或至少兩種的組合為靶材材料，在真空濺射氣壓為1.0E^-3～9.0E^-3mbar條件下沉積第二導電層至所述第二復合變色層上；以及以Si、Ti、Zn、Sn、Nb、Ta之一的氧化物或氮化物或氮氧化物為靶材材料，在真空濺射氣壓為1.0E^-3～9.0E^-3mbar條件下沉積外層保護層至所述第二導電層上。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一靶材材料與所述三靶材材料相同，和/或所述第二靶材材料與所述四靶材材料相同。

另一方面，本發(fā)明實施例提供的一種電控變色玻璃制備方法，包括：提供玻璃基底；在所述玻璃基底上形成第一導電層；在所述第一導電層上形成第一復合變色層；在所述第一復合變色層上形成離子導體層；在所述離子導體層上形成第二復合變色層；在所述第二復合變色層上形成第二導電層；以及在所述第二導電層上形成介質(zhì)保護層。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述在所述玻璃基底上形成第一導電層為：以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一種或至少兩種的組合為靶材材料，在第一預設真空濺射氣壓條件下沉積所述第一導電層至所述玻璃基底上。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一預設真空濺射氣壓的范圍為1.0E^-3～9.0E^-3mbar。