[發明專利]封裝結構的形成方法

在審

• 申請號: 201911043914.5
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN111128758A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 蔡柏豪;劉獻文;鄭心圃;林孟良;彭世勇;洪士庭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/603
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李琛;黃艷

一種封裝結構的形成方法，包括形成導電結構于載體基板之上；配置半導體晶粒于載體基板之上；在上升的溫度下壓靠保護基板于載體基板以接合保護基板至導電結構；以及形成保護層以包圍半導體晶粒。

技術領域

本申請實施例涉及一種半導體裝置的形成方法，且特別有關于一種包括封裝結構的形成方法。

背景技術

半導體元件用于各電子應用，例如個人電腦、移動電話、數碼相機、及其他電子設備。制造半導體元件包含在半導體基板上按序沉積絕緣層或介電層、導電層、及半導體層，并使用微影工藝及蝕刻工藝圖案化各材料層以形成電路組件和元件。

半導體工業通過持續降低最小部件尺寸持續改善各電子組件(例如晶體管、二極管、電阻、電容等)的整合密度，其允許在給定的面積中整合入更多的組件。顯著地改善了輸入及輸出(input and output，I/O)連接的數目。開發了較小的封裝結構，其利用較少的面積或具有較低的高度以封裝半導體元件。

已發展了新的封裝技術以改善半導體元件的密度及功能。這些相對新型的半導體元件封裝技術面臨制造挑戰。

發明內容

本申請實施例包括一種封裝結構的形成方法，包括形成導電結構于載體基板之上；配置半導體晶粒于載體基板之上；在上升的溫度下壓靠保護基板于載體基板以接合保護基板至導電結構；以及形成保護層以包圍半導體晶粒。

附圖說明

以下將配合附圖詳述本申請實施例。應注意的是，各種特征部件并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上，元件的尺寸可能經放大或縮小，以清楚地表現出本申請實施例的技術特征。

圖1A-1J是根據一些實施例示出形成封裝結構工藝的各階段剖面圖。

圖2A-2B是根據一些實施例示出形成封裝結構工藝的各階段剖面圖。

圖3是根據一些實施例示出封裝結構部分的剖面圖。

圖4是根據一些實施例示出封裝結構的俯視圖。

圖5是根據一些實施例示出封裝結構的剖面圖。

圖6是根據一些實施例示出封裝結構部分的剖面圖。

圖7是根據一些實施例示出封裝結構部分的剖面圖。

附圖標記說明：

20～保護基板

100～載體基板

102～內連結構

104～絕緣層

106～導電部件

107A、107B～導電部件

108～導電結構

110～半導體晶粒

112～導電部件

114～接合結構

116～保護層

118～卷帶載體

120～導電凸塊

180A、180B～模封元件

200～板

201～導電部件

202～導電元件

204～導電凸塊

206～突出部分

208～界面

210～凹槽