[發明專利]一種IGBT溝槽柵末端結構

在審

• 申請號: 201911043605.8
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN111009578A
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 鄭婷婷;李宇柱;李偉邦;駱健;董長城;葉楓葉;黃全全
• 申請（專利權）人: 國電南瑞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種IGBT溝槽柵末端結構，其特征在于，包括：

襯底；

虛擬溝槽區，所述虛擬溝槽區設于所述襯底端面上，所述虛擬溝槽區包括兩條以上相互平行的虛擬溝槽，且所述虛擬溝槽內填充有多晶硅；

多晶硅塊，所述多晶硅塊設于所述襯底端面上，用于并聯所述虛擬溝槽區內的虛擬溝槽；

介質層，所述介質層覆設于所述襯底端面上，且所述多晶硅塊位于所述襯底與所述介質層之間；

接觸窗口，所述接觸窗口貫穿所述介質層并延伸至所述多晶硅塊上，所述接觸窗口中填充有導體；

發射極金屬層，所述發射極金屬層覆設于所述介質層外表面，并通過接觸窗口中的導體與所述多晶硅塊接觸相連。

2.根據權利要求1所述的一種IGBT溝槽柵末端結構，其特征在于，所述IGBT溝槽柵結構還包括：

有源溝槽區，所述有源溝槽區與虛擬溝槽區交替排列于所述襯底端面上，所述有源溝槽區包括至少一條有源溝槽，且所述有源溝槽與所述虛擬溝槽相互平行，所述有源溝槽內填充有多晶硅。

3.根據權利要求2所述的一種IGBT溝槽柵末端結構，其特征在于，所述有源溝槽以及虛擬溝槽內的多晶硅和襯底之間通過氧化層隔離。

4.根據權利要求1所述的一種IGBT溝槽柵末端結構，其特征在于，所述多晶硅塊覆蓋所述虛擬溝槽區的一段，并向所述虛擬溝槽區兩側水平延伸。

5.根據權利要求1所述的一種IGBT溝槽柵末端結構，其特征在于，所述接觸窗口與所述多晶硅塊端面的接觸面積小于所述多晶硅塊端面的面積。

6.根據權利要求2所述的一種IGBT溝槽柵末端結構，其特征在于，所述有源溝槽以及虛擬溝槽分別沿所述襯底的端面向所述襯底的側壁延伸。