[發明專利]一種薄膜晶體管和顯示面板

有效

• 申請號: 201911040461.0
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110752219B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 王東平;胡詩犇;童曉陽;胡思明;韓珍珍
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上層疊設置的半導體層、柵極絕緣層和柵極；

所述半導體層包括接觸設置的第一半導體層和第二半導體層，所述第二半導體層的載流子遷移率小于所述第一半導體層的載流子遷移率，所述半導體層包括溝道區以及位于所述溝道區兩側的源極區和漏極區，所述源極區和所述漏極區位于所述第一半導體層；

所述第一半導體層位于所述溝道區的部分與所述源極區之間設置有第一凹槽，和/或所述第一半導體層位于所述溝道區的部分與所述漏極區之間設置有第一凹槽；

所述柵極在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一凹槽及所述溝道區在所述襯底上的正投影，沿垂直于所述襯底的方向，所述柵極絕緣層靠近所述柵極的表面對應所述第一凹槽的部分設有第二凹槽，所述第二凹槽內設有填充結構，構成所述填充結構的材料的介電常數大于所述柵極絕緣層的介電常數；

沿垂直于所述襯底的方向，所述第二凹槽的厚度小于等于所述柵極絕緣層對應所述第一凹槽部分的厚度。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二半導體層、所述第一半導體層及所述柵極絕緣層依次層疊于所述襯底上，所述第一凹槽內填充有柵極絕緣層材料。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一半導體層、所述第二半導體層及所述柵極絕緣層依次層疊于所述襯底上，所述第一凹槽內填充有第二半導體層材料。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，沿所述源極區、所述溝道區和所述漏極區的排列方向，所述第一凹槽的寬度小于所述溝道區的寬度。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，沿所述源極區、所述溝道區和所述漏極區的排列方向，所述第一凹槽的寬度小于或等于2μm。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，構成所述第二半導體層的材料包括金屬氧化物半導體。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，構成所述第二半導體層的材料包括銦鎵鋅氧化物。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二凹槽的厚度等于所述柵極絕緣層對應所述第一凹槽部分的厚度。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，構成所述填充結構的材料包括氮化硅或金屬氧化物。

10.一種顯示面板，包括多個像素驅動電路，每個所述像素驅動電路包括多個晶體管，其特征在于，至少一個所述晶體管為如權利要求1-9任一項所述的薄膜晶體管。

11.根據權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述像素驅動電路中的驅動晶體管為所述薄膜晶體管。