[發明專利]一種鹽堿地種植系統及其施工工藝

在審

• 申請號: 201911040408.0
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110603924A
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 謝志群;何大勝;李劍
• 申請（專利權）人: 廈門瀚卓路橋景觀藝術有限公司
• 主分類號: A01B79/02
• 分類號: A01B79/02;A01G22/00;A01G17/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鹽堿地種植系統，其特征在于，包括：

種植溝（1），所述種植溝（1）設置于鹽堿地上；

透氣防滲層（2），所述透氣防滲層（2）覆蓋在種植溝（1）表面上；

種植土層（3），所述種植土層（3）填充于透氣防滲層（2）上，所述種植土層（3）的頂部高于地表面35-45cm；

以及排水管（4），所述排水管（4）的上側部分處于種植土層（3），所述排水管（4）的下側預埋于種植溝（1）內，所述排水管（4）伸至透氣防滲層（2）的部分設置有若干道通孔（41）。

2.根據權利要求1所述的一種鹽堿地種植系統，其特征在于：所述排水管（4）伸進種植土層（3）的部分覆蓋有土工布（8），所述種植土層（3）的底部設置有覆蓋在土工布（8）表面上的砂礫隔離帶（9），所述種植土層（3）的底部還設置有覆蓋在砂礫隔離帶（9）表面上的鵝卵石隔離帶（10）。

3.根據權利要求1所述的一種鹽堿地種植系統，其特征在于：所述排水管（4）的長度沿種植溝（1）長度方向設置，所述排水管（4）設置于種植溝（1）的其中一側上，所述透氣防滲層（2）遠離種植溝（1）的一側的水平高度高于透氣防滲層（2）靠近種植溝（1）的一側水平高度。

4.根據權利要求1所述的一種鹽堿地種植系統，其特征在于：所述種植溝（1）的底部下凹設置，所述排水管（4）埋設于種植溝（1）底部下凹的區域內。

5.根據權利要求1所述的一種鹽堿地種植系統，其特征在于：所述種植溝（1）的底部設置有若干道蓄水槽（7）。

6.根據權利要求1所述的一種鹽堿地種植系統，其特征在于：還包括設置于鹽堿地上的排水溝（11），所述排水溝（11）與市政排水系統連通，所述排水管（4）其中一端伸至排水溝（11）內。

7.根據權利要求1所述的一種鹽堿地種植系統，其特征在于：還包括覆蓋在種植土層（3）表面上的樹盤覆蓋層（5），所述樹盤覆蓋層（5）由粗砂、鋸末和泥炭混合形成。

8.一種用于如權利要求1-7任一所述的鹽堿地種植系統的施工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：挖掘種植溝（1），挖掘深度為40-60cm；

步驟二：在種植溝（1）內挖掘沿種植溝（1）長度方向設置預埋溝，然后開始在種植溝（1）內覆蓋上透氣防滲層（2），所述透氣防滲層（2）的厚度為3-5cm；

步驟三：在預埋溝內預埋其中一端伸出種植溝（1）外的排水管（4），并在排水管（4）伸出種植溝（1）外的部分鉆出通孔（41），然后在排水管（4）上覆蓋土工布（8）；

步驟四：在透氣防滲層（2）上堆放覆蓋在土工布（8）上的砂礫以形成砂礫隔離帶（9），然后在透氣防滲層（2）上堆放覆蓋在砂礫隔離帶（9）上的鵝卵石以形成鵝卵石隔離帶（10）；

步驟五：回填厚度為80-100cm的種植土層（3），回填完成的種植土層（3）高于地表面35-45cm；

步驟六：在種植土層（3）上種植抗鹽堿樹，并在種植土層（3）表面上覆蓋粗砂、鋸末和泥炭混合物以形成樹盤覆蓋層（5）。

9.根據權利要求8所述的施工工藝，其特征在于：進行步驟五時，首先回填40-60cm種植土，然后人工松土35-55cm，并清理掉雜物，再拌入有機肥和土壤疏松基質2-3cm以形成改良土壤，最后回填35-45cm深的田園種植土以形成種植土層（3）。

10.根據權利要求9所述的施工工藝，其特征在于：每平方米的第一次回填土中，有機肥的拌入量為10公斤，拌入有機肥和土壤疏松基質后，人工翻地25-35cm。