[發明專利]光刻機劑量均勻性的測量方法

有效

• 申請號: 201911039601.2
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112731768B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 劉澤華;陳震東
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，包括：

上載待曝光掩模版，所述待曝光掩模版包括監控標記；

采用所述待曝光掩模版進行焦面-劑量矩陣曝光，獲取不同焦距和曝光劑量下所述監控標記的套刻誤差；

確定所述焦距、所述曝光劑量與所述套刻誤差之間的關系矩陣；

根據所述關系矩陣確定曝光劑量作用區間；

采用所述曝光劑量作用區間內的任意曝光劑量對所述待曝光掩模版進行焦距矩陣曝光；

獲取所述監控標記的實際套刻誤差；

根據所述關系矩陣以及所述實際套刻誤差確定曝光場內各點的實際曝光劑量，以得到光刻機的劑量均勻性。

2.根據權利要求1所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述確定所述焦距、所述曝光劑量與所述套刻誤差之間的關系矩陣包括：

計算各所述曝光劑量下，所述套刻誤差與所述焦距的比值；

建立所述比值與所述曝光劑量的關系。

3.根據權利要求2所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，建立所述比值與所述曝光劑量的關系包括：

通過線性擬合、二次項擬合或指數擬合，確定所述比值與所述曝光劑量的關系。

4.根據權利要求1所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述監控標記包括至少一個重復單元；

所述重復單元包括沿第一方向延伸、沿第二方向排列的第一區域、第二區域、第三區域以及第四區域，所述第一方向與所述第二方向相交；

其中，所述第一區域為透光區域，所述第三區域為透光相轉變區域，所述第二區域與所述第四區域均為遮光區域。

5.根據權利要求4所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述監控標記包括首尾依次連接的第一側邊、第二側邊、第三側邊以及第四側邊；所述第一側邊與所述第三側邊相對設置，且均平行于所述第一方向；所述第二側邊與所述第四側邊相對設置，且均平行于所述第二方向。

6.根據權利要求4所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述監控標記包括首尾依次連接的第一側邊、第二側邊、第三側邊以及第四側邊；所述第一側邊與所述第三側邊相對設置，且均與所述第一方向相交；所述第二側邊與所述第四側邊相對設置，且均與所述第二方向相交。

7.根據權利要求5或6所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述第一側邊的長度與所述第二側邊的長度相等，所述第一側邊的延伸方向與所述第二側邊的延伸方向相互垂直。

8.根據權利要求4所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一區域的寬度、所述第二區域的寬度、所述第三區域的寬度以及所述第四區域的寬度均相同。

9.根據權利要求4所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述至少一個重復單元包括至少兩類重復單元；不同類所述重復單元中的所述第一方向的指向不同。

10.根據權利要求1所述的光刻機劑量均勻性的測量方法，其特征在于，所述待曝光掩模版還包括待曝光圖形，所述監控標記與所述待曝光圖形不交疊。