[發(fā)明專利]具有連接PMOS區(qū)域柵極結(jié)構(gòu)的接觸插塞的半導(dǎo)體元件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911033932.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-10-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112736079A | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳士程;何立軒;呂佐文;梁世豪;吳宗訓(xùn);莊博仁;許啟茂 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/092 | 分類號(hào)： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 連接 pmos 區(qū)域 柵極 結(jié)構(gòu) 接觸 半導(dǎo)體 元件 | ||
本發(fā)明公開一種一種具有連接PMOS區(qū)域柵極結(jié)構(gòu)的接觸插塞的半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件主要包含一基底，該基底包含一NMOS區(qū)域以及一PMOS區(qū)域，一柵極結(jié)構(gòu)由NMSO區(qū)域至PMOS區(qū)域沿著第一方向延伸于基底上以及一第一接觸插塞設(shè)于柵極結(jié)構(gòu)上，其中第一接觸插塞由一分隔NMOS區(qū)域及PMOS區(qū)域的交界線偏向PMOS區(qū)域。半導(dǎo)體元件另包含一第一源極/漏極區(qū)域沿著第二方向延伸于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的NMOS區(qū)域上以及一第二源極/漏極區(qū)域沿著第二方向延伸于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的PMOS區(qū)域上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，尤其是涉及一種具有連接PMOS區(qū)域柵極結(jié)構(gòu)的接觸插塞的半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，多晶硅系廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體元件如金屬氧化物半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶體管中，作為標(biāo)準(zhǔn)的柵極填充材料選擇。然而，隨著MOS晶體管尺寸持續(xù)地微縮，傳統(tǒng)多晶硅柵極因硼穿透(boron penetration)效應(yīng)導(dǎo)致元件效能降低，及其難以避免的空乏效應(yīng)(depletion effect)等問題，使得等效的柵極介電層厚度增加、柵極電容值下降，進(jìn)而導(dǎo)致元件驅(qū)動(dòng)能力的衰退等困境。因此，半導(dǎo)體業(yè)界更嘗試以新的柵極填充材料，例如利用功函數(shù)(work function)金屬來取代傳統(tǒng)的多晶硅柵極，用以作為匹配高介電常數(shù)(High-K)柵極介電層的控制電極。
然而，在現(xiàn)今金屬柵極晶體管制作過程中，特別是在制作CMOS晶體管元件時(shí)NMOS區(qū)域與PMOS區(qū)域的功函數(shù)金屬層由于重疊容易產(chǎn)生所謂金屬交界現(xiàn)象(metal boundaryeffect)并影響元件效能。因此如何改良現(xiàn)今制作工藝以解決上述問題即為現(xiàn)今一重要課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一實(shí)施例公開一種半導(dǎo)體元件，其主要包含一基底，該基底包含一NMOS區(qū)域以及一PMOS區(qū)域，一柵極結(jié)構(gòu)由該NMSO區(qū)域至該P(yáng)MOS區(qū)域沿著一第一方向延伸于該基底上以及一第一接觸插塞設(shè)于該柵極結(jié)構(gòu)上，其中該第一接觸插塞由一分隔該NMOS區(qū)域及該P(yáng)MOS區(qū)域的交界線偏向該P(yáng)MOS區(qū)域。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中該第一接觸插塞緊鄰該交界線且不重疊該交界線。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，另包含一第一源極/漏極區(qū)域沿著一第二方向延伸于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該NMOS區(qū)域上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，另包含一第二接觸插塞設(shè)于該第一源極/漏極區(qū)域上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，另包含一第二源極/漏極區(qū)域沿著一第二方向延伸于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該P(yáng)MOS區(qū)域上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，另包含一第三接觸插塞設(shè)于該第二源極/漏極區(qū)域上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中該第一接觸插塞設(shè)于該第二源極/漏極區(qū)域之間的一通道區(qū)正上方的該柵極結(jié)構(gòu)上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中該第一接觸插塞設(shè)于該第二源極/漏極區(qū)域一側(cè)并遠(yuǎn)離該交界線的該柵極結(jié)構(gòu)上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中該第一接觸插塞設(shè)于該第二源極/漏極區(qū)域一側(cè)并靠近該交界線的該柵極結(jié)構(gòu)上。
依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中該柵極結(jié)構(gòu)包含一金屬柵極。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的上視圖；
圖2至圖3為圖1中沿著切線AA’方向制作半導(dǎo)體元件的方法示意圖；
圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的上視圖；
圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的上視圖；
圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的上視圖；
圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的上視圖。
主要元件符號(hào)說明
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
