[發明專利]存儲裝置及編程存儲裝置中存儲單元的方法

有效

• 申請號: 201911032384.4
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112151099B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 陳重光
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲裝置，包括：

一存儲單元陣列，包括多個存儲單元和一電容電路，這些存儲單元排列為一單元串列，該單元串列耦接至一金屬位線，電容電路對應于該金屬位線；

一感測放大器，用于提供一感測電流至該存儲單元陣列，感測放大器包括一預充電單元和一感測單元，以用于向這些存儲單元的一個或多個存儲單元提供一第一電流，且向該電容電路提供一第二電流；以及

一存儲控制器，用于控制該感測放大器以提供該感測電流至這些存儲單元的一個或多個存儲單元，以在一存儲器存取周期從該一個或多個存儲單元存取數據，該存儲控制器執行包括以下的操作：

在該存儲器存取周期的一預充電階段，通過將包含在該預充電單元的一第一晶體管偏壓至一第一電壓，提供一預充電電壓至該感測放大器以驅動該感測放大器，使得一特定電壓被提供給該存儲單元陣列；

在該存儲器存取周期的一第一感測階段，提供該預充電電壓至該感測放大器；及

在該存儲器存取周期的一第二感測階段，通過第一晶體管偏壓至小于該第一電壓的一第二電壓，提供一感測電壓至該感測放大器以驅動該感測放大器，使得提供至該存儲單元陣列的該特定電壓被維持；

其中，該預充電單元用以根據從該存儲控制器所接收的一第一控制信號和一第二控制信號產生該第二電流；該感測單元用以根據從該存儲控制器所接收的一第三控制信號產生該第一電流；

該第一晶體管用以根據施加到該第一晶體管的一柵極的該第一控制信號來驅動該第一電壓，且用以根據施加到該第一晶體管的柵極的第二控制信號來驅動第二電壓；以及

該預充電單元包含第二晶體管，該第二晶體管用以根據施加到該第二晶體管的一柵極的該第二控制信號來驅動一第二電壓；其中，該第二電流根據該第一電壓及該第二電壓而產生。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該第一電流及該第二電流之和為該感測電流。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，在該存儲器存取周期的該預充電階段，該存儲控制器用以控制該感測放大器以將該第一電流提供給這些存儲單元的該一個或多個存儲單元，且將該第二電流提供給該電容電路。

4.根據權利要求3所述的存儲裝置，其中，在該存儲器存取周期的該預充電階段，通過該第一電流對這些存儲單元的該一個或多個存儲單元進行預充電，且通過該第二電流對該電容電路進行預充電。

5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，在該存儲器存取周期的該第二感測階段，該存儲控制器用以控制該感測放大器以將該第一電流提供給這些存儲單元的該一個或多個存儲單元，且停止提供該第二電流至該電容電路。

6.根據權利要求5所述的存儲裝置，其中，在該存儲器存取周期的該第二感測階段，該第一電流相同于該感測電流。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，該感測單元包括：

一第三晶體管，用以根據施加到該第三晶體管的一柵極的該第三控制信號來驅動一第三電壓；

其中，該第一電流根據該第三電壓而產生。

8.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該存儲器存取周期的該預充電階段、該存儲器存取周期的該第一感測階段、或該存儲器存取周期的該第二感測階段中的至少一者，持續一預選時段。

9.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該預充電電壓介于0.5伏特和1.5伏特之間，該感測電壓介于1伏特和2伏特之間。