[發(fā)明專利]電子零件的拾取裝置以及安裝裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911028600.8 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN111106037B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小西宜明;志賀康一 | 申請(專利權(quán))人: | 芝浦機(jī)械電子裝置株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川縣橫浜市榮區(qū)笠間二*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子零件 拾取 裝置 以及 安裝 | ||
本發(fā)明提供一種能夠抑制電子零件的破損的拾取裝置及安裝裝置。實(shí)施方式的拾取裝置具有:拾取部,拾取貼附于粘著片的電子零件;以及支承部,與粘著片的和電子零件為相反側(cè)的一面相向地設(shè)置,支承部具有:吸附面,吸附保持粘著片;擠壓部,與共同的軸呈同軸的嵌套狀地配設(shè)有多個擠壓體,所述多個擠壓體設(shè)置成在吸附面內(nèi)沿著共同的軸而可移動,且外形的大小不同;驅(qū)動機(jī)構(gòu),進(jìn)行擠壓動作及遠(yuǎn)離動作,所述擠壓動作使擠壓部移動而利用所有擠壓體擠壓粘著片,所述遠(yuǎn)離動作使擠壓體依次向遠(yuǎn)離方向移動;以及轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu),設(shè)于驅(qū)動機(jī)構(gòu),將沿著共同的軸移動的單一的驅(qū)動構(gòu)件的動作轉(zhuǎn)換為多個擠壓體的遠(yuǎn)離動作。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子零件的拾取(pick up)裝置以及安裝裝置。
背景技術(shù)
在將半導(dǎo)體芯片安裝于導(dǎo)線架(lead frame)或布線基板、插入式基板(interposer substrate)等基板上時,進(jìn)行下述操作,即:從晶片薄片(wafer sheet)將半導(dǎo)體芯片逐一取出,移送至基板上并進(jìn)行安裝,所述晶片薄片是將以每個半導(dǎo)體芯片進(jìn)行切斷而單片化的半導(dǎo)體晶片貼附于粘著片而成。
這樣,為了將貼附于晶片薄片等粘著片的半導(dǎo)體芯片等電子零件從粘著片剝離并拾取,可使用具有拾取機(jī)構(gòu)及上頂機(jī)構(gòu)的拾取裝置。拾取機(jī)構(gòu)具有吸附電子零件的吸附噴嘴。上頂機(jī)構(gòu)利用上頂銷將吸附于吸附噴嘴的電子零件從下表面?zhèn)壬享敚o助電子零件從粘著片的剝離及取出。
此外,最近的半導(dǎo)體芯片正以其厚度為50μm以下的方式推進(jìn)薄型化。在一邊拉伸粘著片一邊僅利用上頂銷將如此薄的半導(dǎo)體芯片上頂時,半導(dǎo)體芯片損傷的可能性變大。因此,如專利文獻(xiàn)1所示,開發(fā)出了下述拾取裝置,此拾取裝置具有使軸線一致而同心地設(shè)置的多個上推體,以使貼附于半導(dǎo)體芯片的下表面的粘著片的剝離從半導(dǎo)體芯片的周邊部向中心部緩緩地進(jìn)行。此種拾取裝置中,多個上推體所形成的上表面形狀通常形成為與供拾取的半導(dǎo)體芯片同等的形狀、例如四方形。
所述拾取裝置中,首先使多個上推體同時上升至規(guī)定高度,將供拾取的半導(dǎo)體芯片的整個下表面擠壓上推。然后,留下位于最外側(cè)的上頂體而使其他上頂體進(jìn)一步上升至規(guī)定高度為止。接著,留下第2個上頂體而使其他上頂體上升。半導(dǎo)體芯片的下表面的由上頂體進(jìn)行的支撐從周邊部向中心部依次開放,因此半導(dǎo)體芯片容易從粘著帶剝離。進(jìn)而提出:為了促進(jìn)粘著帶從半導(dǎo)體芯片的下表面的剝離,至少在位于最外周的上推體的與粘著帶的接觸面(上表面)設(shè)置抽吸力在與粘著帶之間發(fā)揮作用的凹部。設(shè)于上推體的上表面的凹部成為粘著片開始從半導(dǎo)體芯片剝離的部位,因此能夠促進(jìn)剝離帶從半導(dǎo)體芯片的剝離。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2010-056466號公報
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
但是,即便在使用如上所述那樣的具有多個上推體并且至少在位于最外周的上推體的上表面設(shè)有凹部的拾取裝置時,有時半導(dǎo)體芯片也會產(chǎn)生破損。半導(dǎo)體芯片破損的原因雖不明確,但在將以厚度為例如30μm以下的方式經(jīng)薄型化的半導(dǎo)體芯片從粘著片剝離并拾取時,容易產(chǎn)生半導(dǎo)體芯片的破損。另外,形成于半導(dǎo)體芯片的電路也為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的高容量化或高功能化等而高密度化,此種電路形狀也可認(rèn)為是半導(dǎo)體芯片破損的一個原因。
例如對于與非(NAND)型閃速存儲器(flash memory)等存儲器芯片而言,其厚度逐年薄型化,如上文所述那樣,正推進(jìn)具有30μm以下、進(jìn)而25μm以下、20μm以下那樣的厚度的半導(dǎo)體芯片的實(shí)用化。因此,尋求一種即使在拾取此種經(jīng)薄型化的半導(dǎo)體芯片時,也可更可靠地將半導(dǎo)體芯片從粘著片剝離并拾取而不使半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生破損的拾取裝置。
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制電子零件的破損的拾取裝置以及安裝裝置。
[解決問題的技術(shù)手段]
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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