[發明專利]半導體封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201911020268.0
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN111354698A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體封裝結構，包括：

一第一晶粒，具有相對設置的一第一側及一第二側；

至少一第二晶粒，具有相對設置的一第三側及一第四側，該第三側是面對該第一晶粒的該第一側；

一重布線層，位在該第二晶粒的該第四側上；

一封模，將該第一晶粒及該至少一第二晶粒封在其中；

多個第一導體，位在該封模中；以及

多個第二導體，位在該第二晶粒中；

其中該第一晶粒經由所述第一導體電性連接該重布線層，且該第二晶粒經由所述第二導體電性連接該重布線層。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，還包括多個導電組件，位在該第一晶粒的該第一側與該第二晶粒的該第三側之間。

3.如權利要求2所述的半導體封裝結構，其中該第一晶粒與該第二晶粒是以所述導電組件而相互連結且電性連接。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其中該封模具有相對設置的一第五側及一第六側，該第五側是面對該重布線層。

5.如權利要求4所述的半導體封裝結構，其中該封模的該第六側與該第一晶粒的該第二側為共面。

6.如權利要求1所述的半導體封裝結構，還包括多個連接結構，是位在該重布線層上。

7.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其中該第一晶粒為一邏輯晶粒，該第二晶粒為一存儲器晶粒。

8.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其中該第一晶粒的一晶粒尺寸是大于該第二晶粒的一晶粒尺寸。

9.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一導體包括多個直通模穿孔。

10.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第二導體包括多個直通硅穿孔。

11.一種半導體封裝結構的制備方法，包括：

提供一第一晶粒；

將一第二晶粒連結到該第一晶粒，其中該第二晶粒包含多個第一導體；

在該第一晶粒上配置多個第二導體；

配置一封模以將該第一晶粒、該第二晶粒以及所述第二導體封在其中；

在該第二晶粒與該封模上配置一重布線層；以及

在該重布線層上配置多個連接結構。

12.如權利要求11所述的制備方法，還包括在該第二晶粒連結到該第一晶粒之前，是將該第一晶粒貼合在一載送基底上。

13.如權利要求12所述的制備方法，還包括：

于該連接結構形成之后，單顆化該重布線層、該封模，以及該第二晶粒，以形成一半導體封裝結構；以及

從該載送基底分離該半導體封裝結構。

14.如權利要求11所述的制備方法，其中該第一晶粒還包括多個導電組件。

15.如權利要求14所述的制備方法，其中該第二晶粒經由所述導電組件而連結且電性連接該第一晶粒。

16.如權利要求11所述的制備方法，還包括于形成該重布線層之前，移除該封模的一部分，以暴露該第二晶粒的一表面以及所述第二導體的表面。

17.如權利要求11所述的制備方法，其中該第一晶粒的一晶粒尺寸是大于該第二晶粒的一晶粒尺寸。

18.如權利要求11所述的制備方法，其中該第一晶粒為一邏輯晶粒，該第二晶粒為一存儲器晶粒。

19.如權利要求11所述的制備方法，其中所述第一導體包含多個直通硅穿孔。

20.如權利要求11所述的制備方法，其中所述第二導體包含多個直通模穿孔。