[發(fā)明專利]粘合膜、半導(dǎo)體設(shè)備及半導(dǎo)體封裝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910997715.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN111384008A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李政泌;姜明成;金永錫;徐光仙;劉惠仁;崔容元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/367
• 分類號(hào): H01L23/367;H01L23/373;C09J7/28
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 范心田

1.一種粘合膜，包括：

多孔金屬層，在其中具有多個(gè)孔；

第一粘合層，在所述多孔金屬層的一側(cè)上；

粘合物質(zhì)，至少部分地填充所述多孔金屬層的所述多個(gè)孔；以及

多個(gè)第一導(dǎo)熱構(gòu)件，分布在所述第一粘合層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述多孔金屬層的孔隙率為約30％至小于100％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中：

所述多個(gè)孔中的至少一個(gè)在所述多孔金屬層的表面處開口，并且

填充所述多個(gè)孔中的至少一個(gè)的所述粘合物質(zhì)暴露在所述多孔金屬層的表面處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中：

所述粘合物質(zhì)和所述第一粘合層在所述多孔金屬層與所述第一粘合層之間的界面處彼此接觸，并且

所述粘合物質(zhì)和所述第一粘合層提供為包括相同材料的單體形式。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述孔的長(zhǎng)軸具有約5μm至約3000μm的長(zhǎng)度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述多孔金屬層包括銅、鎳、鐵或銀中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一導(dǎo)熱構(gòu)件具有珠形狀、線形狀或棒形狀中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一導(dǎo)熱構(gòu)件占所述第一粘合層的總體積的約1％至約50％的體積分率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一導(dǎo)熱構(gòu)件中的一些分布在所述粘合物質(zhì)中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一導(dǎo)熱構(gòu)件包括非晶氧化硅、晶體氧化硅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁、氧化鈹、氮化硼或鉆石中的一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，還包括：在所述多孔金屬層的另一側(cè)上的第二粘合層，所述另一側(cè)與所述第一粘合層相對(duì)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的粘合膜，其中，所述第二粘合層包括分布在所述第二粘合層中的多個(gè)第二導(dǎo)熱構(gòu)件。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜，還包括以下中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：

第一鈍化層，覆蓋所述多孔金屬層；或者

第二鈍化層，覆蓋所述第一粘合層。

14.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：

襯底；

放熱器件，在所述襯底上；以及

粘合膜，在所述襯底與所述放熱器件之間，

其中，所述粘合膜包括：

多孔金屬層，在其中具有多個(gè)孔；

第一粘合層，在所述多孔金屬層的一側(cè)上；以及

粘合物質(zhì)，至少部分地填充所述多孔金屬層的所述多個(gè)孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，所述放熱器件的一側(cè)與所述粘合膜接觸，所述放熱器件的所述一側(cè)是所述放熱器件的無(wú)源表面。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中：

所述多孔金屬層與所述襯底接觸，并且

所述第一粘合層與所述放熱器件接觸。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體設(shè)備，還包括：在所述襯底與所述放熱器件之間的半導(dǎo)體器件，

其中，所述粘合膜設(shè)置在所述放熱器件與所述半導(dǎo)體器件之間，并將所述放熱器件附著到所述半導(dǎo)體器件。