[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910994913.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111078599A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李相吉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G06F13/16
• 分類(lèi)號(hào): G06F13/16
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 黃隸凡

本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：處理器核，處理程序數(shù)據(jù)；第一存儲(chǔ)器，與處理器核安裝在同一半導(dǎo)體芯片上；第二存儲(chǔ)器，包括具有第一磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元；第三存儲(chǔ)器，包括具有與第一磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)不同的第二磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中處理器核基于程序數(shù)據(jù)的屬性選擇性地將程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器、第二存儲(chǔ)器及第三存儲(chǔ)器中的一者中。

本申請(qǐng)主張?jiān)?018年10月19日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出申請(qǐng)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2018-0124880號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的內(nèi)容全部并入本文供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件。更具體來(lái)說(shuō)，本公開(kāi)涉及一種基于程序數(shù)據(jù)的屬性選擇性地將程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器中的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

各種電子器件被廣泛使用。這些電子器件使用電信號(hào)及電存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)來(lái)實(shí)行各種功能。電子器件包括用于處理信號(hào)及數(shù)據(jù)的處理器。此外，電子器件包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。

隨著設(shè)計(jì)技術(shù)及工藝技術(shù)的發(fā)展，正在生產(chǎn)具有小的尺寸的電子器件。小型電子器件(例如膝上型計(jì)算機(jī)、移動(dòng)終端及手機(jī))可由用戶攜帶且易于被用戶傳送。最近，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了附裝在用戶身體上的可穿戴電子器件。

另外，在物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things，IoT)環(huán)境中進(jìn)行操作的IoT電子器件的使用已逐漸增加，且由外部器件遠(yuǎn)程控制的家用設(shè)備的使用也已相應(yīng)地增加。

為了用戶的方便起見(jiàn)，可穿戴電子器件或IoT電子器件被制造成具有較小的尺寸。當(dāng)電子器件的尺寸減小時(shí)，包括在電子器件中的集成電路芯片的尺寸也需要減小。此外，如果電子器件的尺寸減小，則由例如電池等供電器件供應(yīng)的總電量也會(huì)減少。

作為實(shí)例，小型電子器件可包括緩沖存儲(chǔ)器及非易失性存儲(chǔ)器，緩沖存儲(chǔ)器用于臨時(shí)緩沖由處理器處理或?qū)⒂商幚砥魈幚淼臄?shù)據(jù)，非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而與電源的供應(yīng)無(wú)關(guān)。順便提及，可穿戴電子器件及IoT器件可實(shí)行與需要大量計(jì)算的功能相比需要較少量計(jì)算的更多功能。因此，可穿戴電子器件或IoT器件可包括具有大緩沖容量的緩沖存儲(chǔ)器。此外，泄漏大量功率的存儲(chǔ)器并不適用于可穿戴電子器件或IoT器件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的方面提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件可通過(guò)基于數(shù)據(jù)的屬性確定將存儲(chǔ)在不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)來(lái)提高數(shù)據(jù)的輸入/輸出效率并提高功率效率。

本發(fā)明的方面還提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件通過(guò)在單個(gè)半導(dǎo)體芯片上安裝多個(gè)不同的存儲(chǔ)器并基于數(shù)據(jù)的屬性確定用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器來(lái)滿足微控制器單元(Micro Controller Unit，MCU)的微型化。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：處理器核，安裝在半導(dǎo)體芯片上，且被配置成處理程序數(shù)據(jù)；第一存儲(chǔ)器，安裝在所述半導(dǎo)體芯片上；第二存儲(chǔ)器，包括具有第一磁性隧道結(jié)(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)結(jié)構(gòu)的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(magneto-resistive random access memory，MRAM)單元；第三存儲(chǔ)器，包括具有與所述第一磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)不同的第二磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，其中所述處理器核基于所述程序數(shù)據(jù)的屬性選擇性地將所述程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述第一存儲(chǔ)器、所述第二存儲(chǔ)器、及所述第三存儲(chǔ)器中的一者中。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：處理器核，被配置成處理程序數(shù)據(jù)；第一存儲(chǔ)器，包括第一磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)；以及第二存儲(chǔ)器，包括高度與所述第一磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)不同的第二磁性隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其中所述處理器核還被配置成讀取存儲(chǔ)在所述第一存儲(chǔ)器中的第一數(shù)據(jù)，基于所述第一數(shù)據(jù)產(chǎn)生第二數(shù)據(jù)，將所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述第二存儲(chǔ)器中，且使用所述第一數(shù)據(jù)及所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行程序操作。