[發(fā)明專利]一種高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜及其制備方法

有效

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• 申請日: 2019-10-17
• 公開（公告）號: CN110641118B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林新土;陳曦;賈露;李智堯;劉運錦;鄭偉;廖貴何
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門長塑實業(yè)有限公司
• 主分類號: B32B27/34
• 分類號: B32B27/34;B32B27/08;B32B27/18;B32B33/00;B32B37/00;B32B38/00;C08L77/02;C08L77/00;C08K9/06;C08K3/22;C08K3/36;C08K7/00;C08K3/34;C08L77/06
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35234
• 代理人: 楊澤奇

1.一種高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：包括阻隔涂層和基材層；

所述阻隔涂層與基材層之間設(shè)置有底涂層；

所述基材層由從上至下依次為A、B、C三層共擠的雙向拉伸聚酰胺薄膜組成；

所述A層和C層均由37%～84.5%尼龍，10%～30%無定型尼龍，5%～30%納米粘土改性尼龍母粒，0.5%～3%防粘母料組成；

其中，37%～84.5%尼龍的所述尼龍為PA6、PA6/66、PA66/6中的至少一種；

所述B層包括40%～75%的由尼龍6和尼龍66組成的共聚物，20%～30%的MXD6和5%～30%納米粘土改性MXD6母粒；

所述阻隔涂層包含92%～98.55%聚乙烯醇乳液，0.05%～1%的分散劑，0.5%～3%的改性層狀雙氫氧化物，0.5%～1.5%的納米二氧化硅，0.3%～1.5%的有機微球和0.1%～1%的引發(fā)劑；

所述納米粘土改性尼龍母粒為無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土復(fù)合改性尼龍；

所述納米粘土改性MXD6母粒為無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土復(fù)合改性MXD6；

所述無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土配比為4～5：5～6，納米粘土改性尼龍母粒中無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土總含量為8%～10%，納米粘土改性MXD6母粒中無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土總含量為8%～10%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述底涂層由10%～30%的可聚合單體，0.5%～3%的可溶性金屬鹽，0.5%～1%的引發(fā)劑和66%～89%的溶劑組成；

所述可聚合單體為丙烯酸酯單體和丙烯酸的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述基材層的厚度為12～25μm，所述A層和C層厚度均為2～4μm，所述A和C層至少一面進行電暈處理后，其電暈值＞50dyn；

所述的底涂層厚度為0.5～2μm，所述的阻隔涂層厚度為1～3μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述無機納米粒子為納米氧化鎂、納米二氧化硅、納米氧化鋁中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述聚乙烯醇乳液中的聚乙烯醇為硅烷偶聯(lián)劑改性的聚乙烯醇，聚合度為1200～3200，醇解度為85%～99.99%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述改性層狀雙氫氧化物為脂肪族羧酸陰離子改性層狀雙氫氧化物，其中，所述層狀雙氫氧化物為前驅(qū)體硝酸鎂和硝酸鋁以2～4:1的物質(zhì)的量比采用高溫水熱法制備而得。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述的有機微球為氨基微球、丙烯酸酯類微球、有機硅微球中的至少一種。

8.一種根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項所述的高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：制備基材層：

S10、納米粘土改性尼龍母粒制備

將尼龍、硅烷偶聯(lián)劑表面處理后的無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土投入到高速混合機中混合均勻；

再將上述混合物投入到雙螺桿擠出機中熔融擠出、造粒后制成納米粘土改性尼龍母粒，其中擠出機溫度設(shè)定為230～280℃，擠出機的轉(zhuǎn)速為300r/min～500r/min，進行除濕干燥后，備用;

S20、納米粘土改性MXD6母粒制備

將MXD6、硅烷偶聯(lián)劑表面處理后的無機納米粒子和未改性的層狀親水納米粘土投入到高速混合機中混合均勻；

再將上述混合物投入到雙螺桿擠出機中熔融擠出、造粒后制成納米粘土改性MXD6母粒，其中擠出機溫度設(shè)定為230～280℃，擠出機的轉(zhuǎn)速為300r/min～500r/min，進行除濕干燥后，備用;

S30、將A、B、C層中各組分按比例分別進行混合，并通過高速攪拌機分散均勻；

S40、將S30混合均勻的各層分別通過三臺擠出機熔融、共擠出，使熔體通過T型口模流延至表面溫度為20～35℃的激冷輥驟冷鑄片；

S50、將S40中的鑄片在30～75℃水槽中進行1～2分鐘的調(diào)濕處理，調(diào)濕后的鑄片表面用氣刀將表面殘留水分吹干，并進行同步或者分布拉伸，拉伸溫度為130～190℃，拉伸倍率2.5×2.5～3.5×3.5；

S60、將S50中得到的薄膜經(jīng)過熱定型，并對A層和C層中的至少一層進行電暈處理，然后收卷、分切得到所述的基材層，使基材層厚度為12～25μm，A層和C層厚度均為2～4μm；

步驟2：在步驟1中的基材層的電暈面上用涂布設(shè)備將底涂層均勻涂布并烘干，向形成的底涂層上通過凹版涂布涂覆配置好的阻隔涂布液，然后對涂布完成的薄膜進行烘干，收卷，即得到所述高阻隔耐刮擦雙向拉伸聚酰胺薄膜。