[發明專利]存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201910977809.2
• 申請日: 2019-10-15
• 公開（公告）號: CN112614840A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 楊怡箴;張耀文;吳冠緯
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11568
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置，包含：

一半導體襯底，具有一主表面；

一疊層結構，配置在該半導體襯底的該主表面上，且包含彼此交替疊層的多個導電層及多個絕緣層；

一電荷存儲結構，包含多個彎折存儲結構或多個分離的存儲區段，這些彎折存儲結構或這些分離的存儲區段與這些導電層的多個側壁相對，其中各該彎折存儲結構或各該分離的存儲區段，在平行該主表面的一方向上實際上對準這些導電層的對應一者；

一勢壘層，至少局部地夾置在這些導電層與這些彎折存儲結構之間或者這些導電層與這些分離的存儲區段之間；

一隧穿層，配置在這些彎折存儲結構上或這些分離的存儲區段上；以及

一半導體層，配置在該隧穿層上。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中該電荷存儲結構包含這些彎折存儲結構，且這些導電層的這些側壁相對于這些絕緣層的多個側壁凹陷以定義出多個凹部，這些彎折存儲結構容置在這些凹部中。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中該電荷存儲結構包含這些彎折存儲結構，且這些絕緣層的多個側壁相對于這些導電層的這些側壁凹陷，以定義出多個凹部；

其中該電荷存儲結構還包含多個連接部，各該連接部連接這些彎折存儲結構中的相鄰兩者，且這些連接部容置在這些凹部中。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中該電荷存儲結構包含這些分離的存儲區段，且這些導電層的這些側壁相對于這些絕緣層的多個側壁凹陷，以定義出多個凹部，這些分離的存儲區段容置在這些凹部中。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中該電荷存儲結構包含這些分離的存儲區段，且這些導電層的這些側壁相對于這些絕緣層的多個側壁凹陷，以定義出多個凹部，這些凹部容置這些分離的存儲區段，其中部分的隧穿層及部分的半導體層位于這些凹部中。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中該電荷存儲結構包含這些分離的存儲區段，且各該分離的存儲區段包含一垂直部以及兩凸緣，該垂直部面對所對應的該導電層的該側壁，所述兩凸緣從該垂直部延伸出并朝向對應的該導電層。

7.一種制造存儲器裝置的方法，包含：

形成一疊層結構，該疊層結構包含彼此交替疊層的多個選擇性功能層及多個絕緣層，這些選擇性功能層及這些絕緣層具有各自的側壁；

使這些選擇性功能層的這些側壁或這些絕緣層的這些側壁凹陷，以形成多個凹部；

按照順序形成一勢壘層以及一電荷存儲層覆蓋這些選擇性功能層的這些側壁及這些絕緣層的這些側壁，其中該勢壘層及該電荷存儲層填充各該凹部的局部，從而在各該凹部中形成一剩余空間；

形成一隧穿層于該電荷存儲層上；以及

形成一半導體層于該隧穿層上。

8.根據權利要求7所述的方法，其中使這些選擇性功能層的這些側壁或這些絕緣層的這些側壁凹陷包含刻蝕這些選擇性功能層的這些側壁，以形成這些凹部，

其中形成該半導體層包含使該半導體層填滿這些剩余空間，從而讓該半導體層在這些剩余空間中形成多個角。

9.根據權利要求7所述的方法，其中使這些選擇性功能層的這些側壁或這些絕緣層的這些側壁凹陷包含刻蝕這些絕緣層的這些側壁，以形成這些凹部。

10.一種存儲器裝置的制造方法，包含：

形成一疊層結構，該疊層結構包含彼此交替疊層的多個犧牲層及多個絕緣層，這些犧牲層及這些絕緣層具有各自的側壁；

使這些犧牲層的這些側壁或這些絕緣層的這些側壁凹陷，以形成多個凹部；

在形成這些凹部后，形成多個分離的電荷存儲區段于這些犧牲層的這些側壁上；

形成一隧穿層于這些分離的電荷存儲區段上；

形成一半導體層于該隧穿層上；

移除這些犧牲層以形成多個空間，各該空間介于兩相鄰的這些絕緣層之間，這些空間暴露出這些分離的電荷存儲區段；

形成一勢壘層內襯這些空間的內側表面；以及

形成多個導電層于這些空間中。