[發明專利]一種模板可配置N像素并行灰度形態學濾波電路和方法有效
| 申請號: | 201910975475.5 | 申請日: | 2019-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN110866885B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發明(設計)人: | 桑紅石;李強;常誠;姜慶峰;高萬蘇維;劉羽豐;李玉濤 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | G06T5/30 | 分類號: | G06T5/30;G06T1/20 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 配置 像素 并行 灰度 形態學 濾波 電路 方法 | ||
1.一種模板可配置N像素并行灰度形態學濾波電路,其特征在于,所述模板為平坦對稱結構元素,可配置結構元素大小m的最大值為M,所述濾波電路包括:
行解析電路,用于在所述濾波電路配置為行運算時,對每幀圖像數據進行解析,每個時鐘周期向并行運算電路輸出N個相鄰的行像素;
列轉置電路,用于在所述濾波電路配置為列運算時,對每幀圖像數據進行解析,每個時鐘周期向并行運算電路輸出N個相鄰的列像素;
數據拼接電路,用于當圖像行列數不是N的整數倍時,對圖像進行擴展,以保證送入并行運算電路的N個相鄰像素屬于同一行/列;
并行運算電路包括:移位寄存器、窗口生成電路和極值運算電路;
移位寄存器,用來緩存經行解析電路和列轉置電路解析輸出的圖像數據;
窗口生成電路,用于在N像素并行濾波時,根據當前配置的結構元素大小、所述濾波電路工作方式,從移位寄存器中取緩存的圖像數據,可共用圖像數據按順序填充至1×(M+N-1)一維工作窗口的WN~WM位置處,不可共用圖像數據按順序填充至1×(M+N-1)一維工作窗口的剩余位置;
極值運算電路,用于在N像素并行濾波時,根據所述濾波電路工作方式,取一維工作窗口各位置像素中的極小值/極大值,得到N像素并行灰度形態學濾波結果;
所述列轉置電路包括:N塊簡單雙端口RAM,存儲圖像數據所需RAM的深度為經行處理后圖像行數除以N和數據右移電路,其解析過程如下:
(1)圖像數據讀入,N塊RAM初始寫地址為0,圖像數據采用順序切換的方式每個周期向一塊RAM寫入數據,圖像數據寫入第N塊RAM后,寫地址加1,繼續將圖像數據寫入N塊RAM的對應地址,直至N塊RAM都處于滿狀態,暫停圖像數據讀入;
(2)圖像數據讀出,N塊RAM初始讀地址為0,若每個RAM都處于滿狀態,則從N塊簡單雙端口RAM中每次并行讀出N個數據,否則當圖像數據寫入第N塊RAM后,并行讀出N個數據;
(3)在解析第1列N個相鄰像素時,數據右移電路將簡單雙端口的輸出數據右移0位,在解析第2列N個相鄰像素時,數據右移電路將簡單雙端口的輸出數據右移w位,隨著解析像素列數的增加,右移的位數依次加w,直至解析出第列像素,簡單雙端口RAM的滿狀態結束,其中,w為數據位寬;
(4)判斷所有像素是否解析完畢,若是,結束,否則,進入步驟(1);
一維工作窗口的填充方式具體如下:
當(N-1)≤m≤M時,將可共用數據填充至一維工作窗口WN~WM位置處,當重用數據不夠填充WN~WM位置處時,窗口剩余位置填充2w-1或者0值,腐蝕運算時填充2w-1,膨脹運算時填充0,其余數據按順序填充W1~WM+N-1位置處;
當1≤m<(N-1)時,一維工作窗口Wm+1~WM位置處填充2w-1或者0,腐蝕運算填充2w-1,膨脹運算時填充0,其余數據按順序填充W1~WM+N-1位置處;
極值運算電路包括:1個(M-N+1)輸入極值運算電路、N個(N-1)輸入極值運算電路和1個(N+1)輸入極值運算電路;一維工作窗口填充完畢后,取固定位置的數據送入對應的極值運算電路,具體如下:
當(N-1)≤m≤M時,將一維工作窗口中WN~WM位置的數據送入(M-N+1)輸入極值運算電路,得到極值Y,N個(N-1)輸入的極值運算電路的輸入數據分別為W1~WN-1位置的數據得到極值y1,W2~WN-1和WM+1位置的數據得到極值y2,一直到WM+1~WM+N-1得到極值yN,再將Y分別和y1,y2,…,yN比較,便可得到N像素并行的處理結果;
當1≤m<(N-1)時,將一維工作窗口中WN~WM位置的數據送入(M-N+1)輸入求極值運算電路得到極值Y,N個(N-1)輸入的極值運算電路的輸入數據分別為W1~Wm,剩余值輸入0或2w-1,腐蝕運算輸入2w-1,膨脹運算時輸入0,得到極值y1,W2~Wm和WM+1位置的數據,剩余值輸入0或2w-1,腐蝕運算輸入2w-1,膨脹運算時輸入0,得到極值y2,一直到WM-m+1~WM+N-1,剩余值輸入0或2w-1,腐蝕運算輸入2w-1,膨脹運算時輸入0,得到極值yN,再將Y分別和y1,y2,…,yN比較,得到N像素并行的處理結果;
在配置為不同結構元素大小時,極值運算電路共用一個(M-N+1)輸入極值運算電路。
2.一種模板可配置N像素并行灰度形態學濾波方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
S1.當圖像行列數不是N的整數倍時,對圖像進行擴展,以保證行運算/列運算時輸出的N個相鄰像素屬于同一行/列;
S2.當配置為行運算時,對每幀圖像數據進行解析,每個時鐘周期輸出并緩存N個相鄰的行像素;當配置為列運算時,對每幀圖像數據進行解析,每個時鐘周期輸出并緩存N個相鄰的列像素;
S3.在N像素并行濾波時,根據當前配置的結構元素大小、工作方式,取出緩存的圖像數據,可共用圖像數據按順序填充至1×(M+N-1)一維工作窗口的WN~WM位置處,不可共用圖像數據按順序填充至1×(M+N-1)一維工作窗口的剩余位置,其中,M為可配置結構元素大小m的最大值;
S4.在N像素并行濾波時,根據所述工作方式,取一維工作窗口各位置像素中的極小值/極大值,得到N像素并行灰度形態學濾波結果;
所述當配置為列運算時,對每幀圖像數據進行解析,每個時鐘周期輸出并緩存N個相鄰的列像素,具體如下:
(1)圖像數據讀入,N塊RAM初始寫地址為0,圖像數據采用順序切換的方式每個周期向一塊RAM寫入數據,圖像數據寫入第N塊RAM后,寫地址加1,繼續將圖像數據寫入N塊RAM的對應地址,直至N塊RAM都處于滿狀態,暫停圖像數據讀入;
(2)圖像數據讀出,N塊RAM初始讀地址為0,若每個RAM都處于滿狀態,則從N塊簡單雙端口RAM中每次并行讀出N個數據,否則當圖像數據寫入第N塊RAM后,并行讀出N個數據;
(3)在解析第1列N個相鄰像素時,數據右移電路將簡單雙端口的輸出數據右移0位,在解析第2列N個相鄰像素時,數據右移電路將簡單雙端口的輸出數據右移w位,隨著解析像素列數的增加,右移的位數依次加w,直至解析出第列像素,簡單雙端口RAM的滿狀態結束,其中,w為數據位寬;
(4)判斷所有像素是否解析完畢,若是,結束,否則,進入步驟(1);
一維工作窗口的填充方式具體如下:
當(N-1)≤m≤M時,將可共用數據填充至一維工作窗口WN~WM位置處,當重用數據不夠填充WN~WM位置處時,窗口剩余位置填充2w-1或者0值,腐蝕運算時填充2w-1,膨脹運算時填充0,其余數據按順序填充W1~WM+N-1位置處;
當1≤m<(N-1)時,一維工作窗口Wm+1~WM位置處填充2w-1或者0,腐蝕運算填充2w-1,膨脹運算時填充0,其余數據按順序填充W1~WM+N-1位置處;
所述根據所述工作方式,取一維工作窗口各位置像素中的極小值/極大值,得到N像素并行灰度形態學濾波結果,具體如下:
當(N-1)≤m≤M時,將一維工作窗口中WN~WM位置的數據送入(M-N+1)輸入極值運算電路,得到極值Y,N個(N-1)輸入的極值運算電路的輸入數據分別為W1~WN-1位置的數據得到極值y1,W2~WN-1和WM+1位置的數據得到極值y2,一直到WM+1~WM+N-1得到極值yN,再將Y分別和y1,y2,…,yN比較,便可得到N像素并行的處理結果;
當1≤m<(N-1)時,將一維工作窗口中WN~WM位置的數據送入(M-N+1)輸入求極值運算電路得到極值Y,N個(N-1)輸入的極值運算電路的輸入數據分別為W1~Wm,剩余值輸入0或2w-1,腐蝕運算輸入2w-1,膨脹運算時輸入0,得到極值y1,W2~Wm和WM+1位置的數據,剩余值輸入0或2w-1,腐蝕運算輸入2w-1,膨脹運算時輸入0,得到極值y2,一直到WM-m+1~WM+N-1,剩余值輸入0或2w-1,腐蝕運算輸入2w-1,膨脹運算時輸入0,得到極值yN,再將Y分別和y1,y2,…,yN比較,得到N像素并行的處理結果;
在配置為不同結構元素大小時,極值運算電路共用一個(M-N+1)輸入極值運算電路。
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