[發(fā)明專利]陣列基板以及顯示母板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910974098.3
• 申請日: 2019-10-14
• 公開（公告）號: CN110676269B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胥真奇
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/64
• 代理公司: 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606
• 代理人: 李紅艷

1.一種陣列基板，設(shè)有存儲電容電路，其特征在于：

所述陣列基板具有第一區(qū)域以及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域位于所述陣列基板的邊緣，且包圍所述第一區(qū)域；

所述存儲電容電路包括第一電容電路與第二電容電路，所述第一電容電路包括多個第一存儲電容且位于所述第一區(qū)域，所述第二電容電路包括多個第二存儲電容且位于所述第二區(qū)域，所述第一存儲電容的電容量大于所述第二存儲電容的電容量；

位于邊緣的所述第二區(qū)域內(nèi)的所述第二存儲電容的電容量相對于第一存儲電容較小，充電速率相對于第一存儲電容較快，

相對于所述第一存儲電容，所述第二存儲電容更快為相應的驅(qū)動晶體管的柵極提供數(shù)據(jù)信號，進而使得位于第二區(qū)域內(nèi)的各子像素的像素電極得以充電充分，從而對位于第二區(qū)域的顯示亮度低于第一區(qū)域內(nèi)的子像素亮度的各子像素進行補償，使其亮度與位于第一區(qū)域內(nèi)的各子像素的亮度一致。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一存儲電容包括第一極板、第二極板以及第一絕緣介質(zhì)，所述第一極板與所述第二極板相對設(shè)置，所述第一絕緣介質(zhì)位于所述第一極板與所述第二極板之間；

所述第二存儲電容包括第三極板、第四極板以及第二絕緣介質(zhì)，所述第三極板與所述第四極板相對設(shè)置，所述第二絕緣介質(zhì)位于所述第三極板與所述第四極板之間；

所述第二絕緣介質(zhì)的厚度大于所述第一絕緣介質(zhì)的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括電容介質(zhì)層，所述電容介質(zhì)層的位于所述第一區(qū)域內(nèi)的部分為第一介質(zhì)部，所述第一介質(zhì)部包括所述第一絕緣介質(zhì)，所述電容介質(zhì)層位于所述第二區(qū)域內(nèi)的部分為第二介質(zhì)部，所述第二介質(zhì)部包括所述第二絕緣介質(zhì)，所述第二介質(zhì)部的厚度大于所述第一介質(zhì)部的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一介質(zhì)部與所述第二介質(zhì)部材料相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一介質(zhì)部與所述第二介質(zhì)部同步形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣介質(zhì)的厚度比所述第一絕緣介質(zhì)的厚度大10納米至20納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一存儲電容包括第一極板、第二極板以及第一絕緣介質(zhì)，所述第一極板與所述第二極板相對設(shè)置，所述第一絕緣介質(zhì)位于所述第一極板與所述第二極板之間；

所述第二存儲電容包括第三極板、第四極板以及第二絕緣介質(zhì)，所述第三極板與所述第四極板相對設(shè)置，所述第二絕緣介質(zhì)位于所述第三極板與所述第四極板之間；

所述第二絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)小于所述第一絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一存儲電容包括第一極板、第二極板以及第一絕緣介質(zhì)，所述第一極板與所述第二極板相對設(shè)置，所述第一絕緣介質(zhì)位于所述第一極板與所述第二極板之間；

所述第二存儲電容包括第三極板、第四極板以及第二絕緣介質(zhì)，所述第三極板與所述第四極板相對設(shè)置，所述第二絕緣介質(zhì)位于所述第三極板與所述第四極板之間；

所述第一極板與所述第二極板的正對面積為S1，所述第三極板與所述第四極板的正對面積為S2，S2S1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二區(qū)域在陣列基板中的空間占比為1%至20%。

10.一種顯示母板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一項所述的陣列基板。