[發明專利]可改善LeTID現象的P型單晶PERC電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201910972959.4
• 申請日: 2019-10-14
• 公開（公告）號: CN111029436B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 康海濤;郭萬武;吳中亞
• 申請（專利權）人: 中建材浚鑫科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/054
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 張霞

1.一種可改善LeTID現象的P型單晶PERC電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，表面織構：利用低濃度堿溶液對硅片在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性，在P型硅片表面腐蝕形成金字塔狀表面形貌，其中，反應堿溶液：1.0-1.5wt％的NaOH，反應時間:200-400s，溫度:70-90℃，反射率：11-12％；

步驟S2，高溫磷擴散：用氮氣通過恒溫的液態源瓶，把擴散源三氯氧磷帶入高溫擴散爐中，同時通入足量的氧氣，經過反應后磷原子擴散進入P型硅片內部，形成N型雜質分布，得到PN結，其中，氮氣流量：500-800sccm，氧氣流量：600-1000sccm，反應時間：80-100min，溫度：700-800℃，擴散方阻：110-130歐姆，再采用激光摻雜方法在正面電極區域形成重摻區，方阻為：90-100歐姆；

步驟S3，周邊刻蝕及背面拋光：利用HF酸液對擴散后的硅片背面和邊緣進行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的正、背表面相互絕緣，使用KOH和拋光添加劑對硅片背面進行拋光處理，背面反射率：40-45％；

步驟S4，二氧化硅層制備：采用熱氧化方法在正、背面各沉積一層二氧化硅薄膜，其中，氧氣流量：1000-2000sccm，壓力：100-300pa，熱氧化溫度：600-700℃，時間：10-30min；

步驟S5，背面氧化鋁層制備：常壓條件下使用原子層沉積法在硅片背面制備氧化鋁薄膜，所述氧化鋁薄膜厚度為3-10nm，折射率為1.65，其中，溫度：180-250℃，三甲基鋁：2.5-3.5mg/L，純水：40-60mg/L；

步驟S6，背面碳氮化硅層制備：采用按比例均勻混合的SiH₄、CH₄和NH₃，并使用PECVD法并在硅片背面沉積一層碳氮化硅薄膜；

步驟S7，背面氮氧化硅疊層制備：采用按比例均勻混合的SiH₄、NH₃和N₂O，并使用PECVD法在硅片背面沉積一層氮氧化硅薄膜；

步驟S8，正面氮氧化硅層制備：使用PECVD法在硅片正面沉積一層Si_xO_yN_z膜，其中，N₂O流量：200-800sccm，SiH₄流量：1000-2000sccm，NH₃流量：3500-5000sccm，沉積溫度：450-550℃，沉積時間：500-700s；

步驟S9，背面激光開槽：利用激光相融原理進行背面疊層鈍化膜局部開槽，背面激光圖形參數為：光斑直徑：20-50μm，激光線間距：500-900μm；

步驟S10，正、背面電極制備：采用絲網印刷法制備正、背面電極，并收集電流，再經過燒結，制得P型單晶PERC電池。

2.根據權利要求1所述的P型單晶PERC電池的制作方法，其特征在于：步驟S6中制備的碳氮化硅薄膜厚度為20nm，折射率為2.15。

3.根據權利要求1所述的P型單晶PERC電池的制作方法，其特征在于：步驟S7中制備的氮氧化硅薄膜厚度為110nm，折射率為2.10。

4.根據權利要求3所述的P型單晶PERC電池的制作方法，其特征在于：步驟S8中制備的Si_xO_yN_z膜厚度為75-85m，折射率為2.06-2.15。

5.一種可改善LeTID現象的P型單晶PERC電池，其特征在于，使用權利要求1至4中任一項所述的制作方法制作而成。