[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201910958296.0
• 申請日: 2019-10-10
• 公開（公告）號: CN111048389A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 道菅隆;久保田紳治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/263
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供等離子體處理方法和等離子體處理裝置。在一個例示的實施方式的等離子體處理方法中，包括在第一期間中在腔室內執行第一等離子體處理的步驟和在第二期間中在腔室內執行第二等離子體處理的步驟的處理順序被多次進行，在第二期間內第一高頻功率被供給到基片支承臺的下部電極，在第一期間內停止對下部電極供給第一高頻功率，在第二期間內的第一高頻功率的各周期內作為脈沖狀的高頻功率供給等離子體生成用的第二高頻功率，第二高頻功率具有比第一高頻功率的頻率高的頻率。本發明能夠設定蝕刻中使用的離子的能量。

技術領域

本發明的例示的實施方式涉及等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

背景技術

在電子器件的制造中，使用等離子體處理裝置進行等離子體處理。等離子體處理裝置包括腔室和基片支承臺。基片支承臺包括下部電極，設置于腔室內。在等離子體處理中，為了激勵腔室內的氣體而供給高頻功率，由該氣體生成等離子體。

在執行等離子體處理的期間，能夠對下部電極供給其它高頻功率。其它高頻功率具有比等離子體生成用的高頻功率的頻率低的頻率。即，其它高頻功率為偏置高頻功率。一般而言，偏置高頻功率用于調節撞擊到設置于基片支承臺上的基片的離子的能量。在對下部電極供給具有高水平的偏置高頻功率的情況下，撞擊到基片的離子的能量高。另一方面，在對下部電極供給具有低水平的偏置高頻功率的情況下，撞擊到基片的離子的能量低。

在專利文獻1中記載了關于用于蝕刻硅氮化膜的等離子體處理。在記載于專利文獻1的技術中，在蝕刻硅氮化膜的期間將偏置高頻功率的功率水平設定為高水平。此外，在記載于專利文獻1的技術中，在由于蝕刻硅氮化膜而形成了硅氮化膜與硅氧化膜一起露出的狀態的情況下，偏置高頻功率的功率水平在高水平與低水平之間交替地切換。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平6-267895號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

作為等離子體處理，考慮進行基片上形成沉積物的等離子體處理，然后進行蝕刻基片的膜的等離子體處理。在該等離子體處理中，要求設定蝕刻中使用的離子的能量。

用于解決技術問題的技術方案

在一個例示的實施方式中，提供一種等離子體處理方法。等離子體處理方法包括：在第一期間中在腔室內執行第一等離子體處理的步驟；和在第二期間中在腔室內執行第二等離子體處理的步驟。第二期間是第一期間之后的期間或接著第一期間的期間。在設置于腔室內的基片支承臺上載置有基片的狀態下，進行執行第一等離子體處理的步驟和執行第二等離子體處理的步驟。在該等離子體處理方法中，進行多次包含執行第一等離子體處理的步驟和執行第二等離子體處理的步驟的處理順序。在第二期間內，第一高頻功率被供給到基片支承臺的下部電極。第一高頻功率具有第一頻率。在第一期間內，停止對下部電極供給第一高頻功率。在第二期間內的第一高頻功率的各周期內，作為脈沖狀的高頻功率供給等離子體生成用的第二高頻功率。第二高頻功率具有比第一頻率高的第二頻率。第二高頻功率在第一期間內連續地被供給或者作為脈沖狀的高頻功率被供給。

發明效果

依照一個例示的實施方式，能夠設定蝕刻中使用的離子的能量。

附圖說明

圖1是表示一個例示的實施方式的等離子體處理方法的流程圖。

圖2是概略地表示一個例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖3的(a)是能夠應用圖1所示的方法MT的一個例子的基片的局部截面圖，圖3的(b)是執行了方法MT的步驟ST1后的狀態的一個例子的基片的局部截面圖，圖3的(c)是執行了方法MT的處理順序SQ后的狀態的一個例子的基片的局部截面圖，圖3的(d)是執行了方法MT的步驟ST4后的狀態的一個例子的基片的局部截面圖。