[發明專利]等離子體處理裝置和控制方法

有效

• 申請號: 201910958163.3
• 申請日: 2019-10-10
• 公開（公告）號: CN111029238B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 輿水地鹽;廣津信
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供等離子體處理裝置和控制方法。等離子體處理裝置包括：處理容器；在處理容器內載置被處理體的電極；對處理容器內供給等離子體的等離子體生成源；對電極供給偏置功率的偏置電源；配置在被處理體的周緣的周邊環；對周邊環供給直流電壓的直流電源；存儲介質，其具有包含第一控制步驟的程序，其中該第一控制步驟中，直流電壓周期性地反復具有第一電壓值的第一狀態和具有比第一電壓值高的第二電壓值的第二狀態，在電極的電位的各周期內的部分期間中施加第一電壓值，并以第一狀態和第二狀態連續的方式施加第二電壓值；和執行存儲介質的程序的控制部。本發明的目的在于提高被處理體的蝕刻形狀的精度。

技術領域

本發明涉及等離子體處理裝置和控制方法。

背景技術

已知一種等離子體處理裝置，其利用載置于載置臺的晶片的周緣的周邊環，能夠提高處理的面內均勻性(例如，參照專利文獻1)。在等離子體處理裝置中，利用通過高頻功率從氣體生成的等離子體進行蝕刻處理，在晶片形成微小的孔等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-277369號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

然而，在蝕刻正圓的孔時，存在在晶片的邊緣部所蝕刻的孔的正圓度被破壞，成為在徑向具有長邊的橢圓的孔的情況。尤其在施加400kHz程度的低頻率的偏置用的高頻功率時，容易發生該現象。

對于上述技術問題，在一個方面，本發明的目的在于提高被處理體的蝕刻形狀的精度。

用于解決技術問題的技術方案

為了解決上述的技術問題，依照一個方式，提供一種等離子體處理裝置，其包括：處理容器；在所述處理容器內載置被處理體的電極；對所述處理容器內供給等離子體的等離子體生成源；對所述電極供給偏置功率的偏置電源；配置在所述被處理體的周緣的周邊環；對所述周邊環供給直流電壓的直流電源；存儲介質，其具有包含第一控制步驟的程序，其中該第一控制步驟中，所述直流電壓周期性地反復具有第一電壓值的第一狀態和具有比所述第一電壓值高的第二電壓值的第二狀態，在所述電極的電位的各周期內的部分期間中施加所述第一電壓值，并以所述第一狀態和所述第二狀態連續的方式施加所述第二電壓值；和執行所述存儲介質的程序的控制部。

發明效果

依照一個方面，能夠提高被處理體的蝕刻形狀的精度。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式的等離子體處理裝置的一例的圖。

圖2是表示一個實施方式的控制部的構成的一例的圖。

圖3A是用于說明一個實施方式的變形例的控制信號的生成的圖。

圖3B是表示一個實施方式的由安裝在供電系統的傳感器的相位信號進行控制的例子圖。

圖3C是表示由一個實施方式的由與偏置功率的高頻或脈沖波的周期同步的信號進行控制的例子圖。

圖3D是表示由一個實施方式的由與偏置功率的高頻或脈沖波的周期同步的信號進行控制的例子圖。

圖4是說明等離子體電位、晶片電位與鞘厚的關系的圖。

圖5是表示一個實施方式的負直流電壓的施加方法及其效果的一例的圖。

圖6是表示一個實施方式的負直流電壓的施加方法的一例的圖。

圖7是表示一個實施方式的負直流電壓的施加方法的一例的圖。

圖8是表示變形例的負直流電壓的施加方法(傾斜控制)的一例的圖。