[發明專利]一種超低阻值片式電阻器以及制作方法

有效

• 申請號: 201910949922.X
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN110706873B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 楊賢軍;吳傳軍;張照亮;徐永紅;郭坤山
• 申請（專利權）人: 重慶川儀自動化股份有限公司
• 主分類號: H01C3/00
• 分類號: H01C3/00;H01C1/14;H01C1/142;H01C1/084;H01C17/28;H01C17/30;H01C17/00
• 代理公司: 重慶志合專利事務所(普通合伙) 50210
• 代理人: 胡榮琿

1.一種超低阻值片式電阻器的制作方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1）取厚度不同的鎳帶、銅帶、精密電阻合金帶，其中鎳帶厚度＜銅帶厚度，銅帶厚度≤精密電阻合金帶厚度，以鎳帶為上層，銅帶為中層，精密電阻合金帶為下層，在室溫下冷軋，通過固相復合軋制成具有鎳層、銅層、精密電阻合金層的三層固相復合帶材坯料，所述固相復合軋制的復合變形率60%，復合速度5m/min；

步驟2）把固相軋制復合成的三層固相復合帶材坯料，經連續熱處理退火后冷軋至需制作的片式電阻器規格厚度，再通過連續熱處理調整電學性能；

步驟3）在調整電學性能后的三層固相復合帶材的鎳層上面覆蓋錫層，形成四層復合帶材；

步驟4）將步驟3）得到的四層復合帶材按制作片式電阻器的寬度尺寸剪切分條，形成制作片式電阻器的料帶；

步驟5）在制作片式電阻器的料帶上端，沿長度方向將位于帶寬中間部位的錫、鎳、銅三層通過切削加工清除形成凹槽，直至凹槽底露出精密電阻合金層，使凹槽底精密電阻合金層的厚度達到目標阻值設計要求，凹槽兩側為凸起電極部的異型四層復合料帶；

步驟6）將異型四層復合料帶暴露在外的精密電阻合金層上下兩面涂上絕緣漆，然后沿異型四層復合料帶的長度方向按制作片式電阻器的長度尺寸進行分截切片，使每一片成為一個超低阻值片式電阻器。

2.根據權利要求1所述的超低阻值片式電阻器的制作方法，其特征在于：所述連續熱處理退火的熱處理溫度為600-700⁰C，熱處理速度為2m/min；所述連續熱處理調整電學性能的熱處理溫度為600-800⁰C，熱處理速度為1.5m/min。

3.根據權利要求1所述的超低阻值片式電阻器的制作方法，其特征在于：所述錫層采用熱敷涂錫工藝或電鍍錫工藝覆蓋在鎳層上面。

4.根據權利要求1所述的超低阻值片式電阻器的制作方法，其特征在于：在步驟5）切削加工初期，當凹槽槽底露出精密電阻合金層后，控制精密電阻合金層厚度，并在異型四層復合料帶頭端剪下一段，按超低阻值片式電阻器規格尺寸切片后進行阻值測量，若有偏差則對精密電阻合金層厚度尺寸進行微調切削，直至電阻值達到要求，然后以此厚度為基準值對異型四層復合料帶進行凹槽連續切削。

5.一種采用權利要求1所述方法制作的超低阻值片式電阻器，其特征在于：這種超低阻值片式電阻器包括從下往上依次為精密電阻合金層、純銅層、純鎳層的冷軋固相復合結構，以及覆蓋在純鎳層上的錫層構成的四層復合結構，該超低阻值片式電阻器的上端中部具有切削形成的凹槽，所述凹槽的兩側為凸起的電極部，凸起的電極部厚度大于0.1mm，所述凹槽的槽底為精密電阻合金層，在凹槽的槽底和精密電阻合金層下端面覆蓋有絕緣漆。

6.根據權利要求5所述的超低阻值片式電阻器，其特征在于：所述精密電阻合金層厚度為0.1mm～1mm，純銅層厚度為0.05mm～1mm，純鎳層厚度為0.003mm～0.015mm，錫層厚度為0.003mm～0.02mm。

7.根據權利要求5所述的超低阻值片式電阻器，其特征在于：所述精密電阻合金層的材質為錳銅或銅鎳或康銅或鎳鉻系電阻合金中的一種。

8.根據權利要求5所述的超低阻值片式電阻器，其特征在于：所述純鎳的重量百分含量為Ni≥99.9%，所述純銅的重量百分含量為Cu≥99.9%；所述錫層為重量百分含量為Sn≥99.9%的純錫或SnCu0.7合金。

9.根據權利要求5所述的超低阻值片式電阻器，其特征在于：所述超低阻值片式電阻器的電阻值小于或等于5毫歐。

10.根據權利要求5所述的超低阻值片式電阻器，其特征在于：所述凹槽的寬度為超低阻值片式電阻器寬度的1/2～1/3。