[發明專利]一種藍寶石晶片的貼片方法在審
| 申請號： | 201910946951.0 | 申請日： | 2019-10-07 |
| 公開（公告）號： | CN110729175A | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發明（設計）人： | 盧東陽;余勝軍;楊青;張京偉 | 申請（專利權）人： | 淮安澳洋順昌集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 21200 大連理工大學專利中心 | 代理人： | 溫福雪 |
| 地址： | 223001*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 不良率 貼片 藍寶石晶片 晶片分選 貼片產品 統一方向 面加工 面貼合 分選 晶片 上機 統一 加工 | ||
【權利要求書】：
1.一種藍寶石晶片的貼片方法，其特征在于，步驟如下：
(1)將退火后晶片進行厚度分選，每10um分為一檔，并將根據設備測量數據將正BOW值、負BOW值產品區分開；
(2)將區分好BOW值的產品，負BOW面統一朝向晶片料盒U面放入料盒，清洗；
(3)產品清洗后，保持晶片統一BOW值方向，負BOW值朝下，導入貼片設備，確保在貼合時正BOW面貼合在陶瓷盤上；
(4)將導入后的晶片進行液態蠟貼片，貼片溫度300-500℃，烘烤時間30-60S，甩蠟速度1500-3500rpm；
(5)將貼合好的晶片利用1.5-6um鉆石液進行銅盤銅拋加工，轉速30-70rpm，壓力150-300g/cm2，加工溫度20-38℃，加工30-60min；
(6)銅拋完成后進入帶片陶瓷盤刷洗機刷洗，使體積濃度比為5％-40％的水基環保清洗劑，溫度50-85℃，刷洗時間30-120s；
(7)刷洗完成后不下片直接進入化拋機進行拋光，使用20wt％的氧化鋁拋光液配合拋光布，壓力300g/cm2-500g/cm2，轉速40-70rpm，加工溫度30℃-50℃，40-100分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
