[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法和顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910940029.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN110718560B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖軍城;田超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 汪阮磊

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及其制備方法和顯示面板，所述陣列基板包括：襯底基板；第一柵極層，形成于所述襯底基板上；像素陣列層，形成于所述第一柵極層上；第二柵極層，形成于所述像素陣列層上；其中，所述第二柵極層包括第一電極層、傳感層和第二電極層，所述傳感層形成于所述第一電極層上，所述第二電極層形成于所述傳感層上。本發(fā)明實(shí)施例中相較于傳統(tǒng)技術(shù)，本發(fā)明將傳感材料與薄膜晶體管相結(jié)合，在所述薄膜晶體管上制備傳感層，由于薄膜晶體管的可大面積制備，使得傳感器可以大面積制備，從而提高傳感器的使用性能，降低傳感器生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示面板。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)當(dāng)前廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，是以玻璃為基板，通過成膜工藝在玻璃上沉積半導(dǎo)體層和金屬層等，再通過光刻等工藝制造出的晶體管。TFT可以基于玻璃進(jìn)行大面積晶體管制作，而且成本較低，所以成為當(dāng)前顯示技術(shù)的核心。

隨著當(dāng)前智能手機(jī)的快速發(fā)展，手機(jī)安全領(lǐng)域如指紋識(shí)別等功能應(yīng)用廣泛，當(dāng)前主要的感應(yīng)傳感器都是基于硅基芯片制造，其成本高而且傳感器件面積較小，導(dǎo)致設(shè)備功能和性能不足。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法和顯示面板，相較于傳統(tǒng)技術(shù)，本發(fā)明將傳感材料與薄膜晶體管相結(jié)合，在所述薄膜晶體管上制備傳感層，由于薄膜晶體管的可大面積制備，使得傳感器可以大面積制備，從而提高傳感器的使用性能，降低傳感器生產(chǎn)成本。

為解決上述問題，第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板，所述陣列基板包括：襯底基板；第一柵極層，形成于所述襯底基板上；像素陣列層，形成于所述第一柵極層上；第二柵極層，形成于所述像素陣列層上；其中，所述第二柵極層包括第一電極層、傳感層和第二電極層，所述傳感層形成于所述第一電極層上，所述第二電極層形成于所述傳感層上；

所述像素陣列層包括：第一柵絕緣層，形成于所述第一柵極層上；有源層，形成于所述第一柵絕緣層上；第二柵絕緣層，形成于所述有源層上，所述第二柵絕緣層上形成有第一過孔；金屬層，形成于所述第二柵絕緣層上，所述金屬層通過所述第一過孔，與所述有源層相接觸，所述金屬層上形成有第二過孔；層間絕緣層，形成于所述金屬層上，所述層間絕緣層通過所述第二過孔與所述第二柵絕緣層相接觸，所述層間絕緣層形成有第三過孔，所述第二柵極層位于所述第三過孔中；

所述金屬層包括源漏極層，所述第一電極層與所述源漏極層位于同一層，且所述第一電極層與所述源漏極層不連接。

進(jìn)一步的，所述有源層為單晶硅、多晶硅或銦鎵鋅氧化物。

進(jìn)一步的，所述傳感層為光伏傳感層、壓敏傳感層或半導(dǎo)體傳感層。

第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板；所述顯示面板包括如上述內(nèi)容所述的陣列基板。

第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板的制備方法，所述方法包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上制備第一柵極層；在所述第一柵極層上制備像素陣列層；在所述像素陣列層上制備第二柵極層；其中，所述第二柵極層包括第一電極層、傳感層和第二電極層，所述傳感層形成于所述第一電極層上，所述第二電極層形成于所述傳感層上。

進(jìn)一步的所述在所述第一柵極層上制備像素陣列層包括：在所述第一柵極層上制備第一柵絕緣層；在所述第一柵絕緣層上制備有源層；在所述有源層上制備第二柵絕緣層；在所述第二柵絕緣層上制備金屬層；在所述金屬層上制備層間絕緣層。

進(jìn)一步的，所述在所述第二柵絕緣層上制備金屬層包括：

在所述第二柵絕緣層上，沉積金屬材料；

將所述金屬材料進(jìn)行圖案化處理，以制備得到源漏極層和第一電極層。

進(jìn)一步的，所述在所述像素陣列層上制備第二柵極層包括：