[發(fā)明專(zhuān)利]一種太赫聲子共振環(huán)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910938335.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110577288A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王輝田 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 杭州太赫環(huán)保科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C02F5/00 | 分類(lèi)號(hào): | C02F5/00;B08B9/027;B08B7/02 |
| 代理公司: | 33235 杭州華知專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 龍湖浩 |
| 地址: | 310000 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 聲子 殺菌滅藻 阻垢除垢 共振 除銹 環(huán)體 緩蝕 內(nèi)環(huán) 薄膜電池單元 環(huán)體外表面 冷卻循環(huán)水 殺菌滅藻劑 非可見(jiàn)光 化學(xué)藥劑 均勻密布 刻錄存儲(chǔ) 物理處理 原子芯片 中心設(shè)置 軸線方向 緩蝕劑 波導(dǎo) 多圈 流體 嵌有 套接 廢水 體內(nèi) 腐蝕 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種太赫聲子共振環(huán),包括環(huán)體,環(huán)體內(nèi)嵌有三大高精度振動(dòng)納米模塊:阻垢除垢芯片精振納米模塊、殺菌滅藻芯片精振納米模塊和除銹緩蝕芯片精振納米模塊,阻垢除垢芯片精振納米模塊、殺菌滅藻芯片精振納米模塊和除銹緩蝕芯片精振納米模塊中分別刻錄存儲(chǔ)有太赫茲原子芯片,環(huán)體外表面均勻密布有低頻的非可見(jiàn)光薄膜電池單元,環(huán)體中心設(shè)置有可與管道套接的內(nèi)環(huán),內(nèi)環(huán)內(nèi)沿軸線方向均勻分布有多圈太赫茲聲子波導(dǎo)入凹槽。太赫聲子共振環(huán)通過(guò)太赫茲聲子波共振的作用下,解決流體中結(jié)垢、腐蝕、殺菌滅藻、跑漏等問(wèn)題,以物理處理的方式取代冷卻循環(huán)水、廢水中的阻垢除垢劑、緩蝕劑、殺菌滅藻劑等化學(xué)藥劑使用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及工業(yè)生產(chǎn)廢水處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種太赫聲子共振環(huán)。
背景技術(shù)
目前工業(yè)生產(chǎn)廢水帶著大量的灰塵顆粒、油氣,與工業(yè)生產(chǎn)廢水霧、水滴結(jié)合后掉落在廢水池里,長(zhǎng)年在20-25攝氏度的溫度中,細(xì)菌快速繁殖,形成鏈狀的菌藻,導(dǎo)致堵塞噴頭、管道、冷凝器、換熱器等等設(shè)備,管道在長(zhǎng)期的水浸泡下,快速氧化,形成三氧化二鐵,在管道內(nèi)部形成鐵銹泡,腐蝕管道,導(dǎo)致循環(huán)泵電機(jī)負(fù)荷增大,導(dǎo)致循環(huán)水濃縮倍率增加,大量的鈣鎂離子大量的析出,在管道中與菌藻、鐵銹形成鐵銹核,嚴(yán)重影響設(shè)備運(yùn)行。縮短管道及設(shè)備的使用壽命。結(jié)垢、菌藻、腐蝕三大世界級(jí)難題并稱(chēng)為工業(yè)三大癌癥,全球每年導(dǎo)致上萬(wàn)億美元的設(shè)備報(bào)廢,甚至引發(fā)安全事故。
現(xiàn)有結(jié)垢、菌藻、腐蝕的處理方式是使用大量的阻垢除垢劑、緩蝕劑、殺菌滅藻劑等化學(xué)藥劑解決,但大量化學(xué)藥劑的使用會(huì)使廢水再次被化學(xué)藥劑污染,同時(shí)又使每年數(shù)百億噸的含有化學(xué)藥劑的廢水再次以所謂的達(dá)標(biāo)排放的形式污染數(shù)以萬(wàn)億噸計(jì)的江河湖海受到污染,造成生態(tài)環(huán)境疊加效應(yīng),最后通過(guò)食物鏈的方式威脅人類(lèi)的生態(tài)安全。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種太赫聲子共振環(huán)。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種太赫聲子共振環(huán),包括環(huán)體,環(huán)體內(nèi)嵌有三大高精度振動(dòng)納米模塊:阻垢除垢芯片精振納米模塊、殺菌滅藻芯片精振納米模塊和除銹緩蝕芯片精振納米模塊,阻垢除垢芯片精振納米模塊、殺菌滅藻芯片精振納米模塊和除銹緩蝕芯片精振納米模塊中分別刻錄存儲(chǔ)有太赫茲原子芯片,環(huán)體外表面均勻密布有低頻的非可見(jiàn)光薄膜電池單元,環(huán)體中心設(shè)置有可與管道套接的內(nèi)環(huán),內(nèi)環(huán)內(nèi)沿軸線方向均勻分布有多圈太赫茲聲子波導(dǎo)入凹槽。太赫茲原子芯片的合成是:首先勘察流體中水分子及水分子團(tuán),鈣、鎂、鐵、碳酸根等類(lèi)離子,有機(jī)物大分子等微觀粒子的分子級(jí)振動(dòng)信息,由HWLM技術(shù)檢測(cè)掃描,再用軟件合成THZ振波波形,合成太赫茲原子芯片。從大量勘察信息中提取流體處理最常用的256組THZ振波,由激光技術(shù)刻錄加載,分別固化儲(chǔ)存在不同的原子芯片組納米模塊之中,共分為三大高精度振動(dòng)納米模塊:阻垢除垢芯片精振納米模塊、殺菌滅藻芯片精振納米模塊和除銹緩蝕芯片精振納米模塊。環(huán)體外表面均勻密布有低頻的非可見(jiàn)光薄膜電池單元,其作用類(lèi)似太陽(yáng)能電池,持續(xù)從周?chē)h(huán)境吸取低頻光熱能量(雖然看不見(jiàn),但占空間總能量的40%以上),通過(guò)內(nèi)嵌的三大高精度振動(dòng)納米模塊將能量轉(zhuǎn)換從而激發(fā)256組太赫茲聲子波持續(xù)發(fā)射。太赫聲子共振環(huán)以10的11次方至13次方太赫茲波段發(fā)射聲子波,穿透管壁與流體中的相應(yīng)的物質(zhì)的原子震動(dòng)頻率發(fā)生同頻共振。
作為優(yōu)選,所述環(huán)體的外側(cè)柱面上開(kāi)設(shè)有定位螺栓孔,定位螺栓孔上螺紋連接有緊固定位螺栓。方便太赫聲子共振環(huán)在管道上安裝定位。
作為優(yōu)選,所述環(huán)體的一側(cè)端面上設(shè)置水流導(dǎo)向標(biāo)示凹槽。水流導(dǎo)向標(biāo)示凹槽指示太赫聲子共振環(huán)安裝方向,避免裝反。
作為優(yōu)選,所述環(huán)體由兩半環(huán)體組成。
作為優(yōu)選,所述非可見(jiàn)光薄膜電池單元、阻垢除垢芯片精振納米模塊、殺菌滅藻芯片精振納米模塊和除銹緩蝕芯片精振納米模塊通過(guò)電路連通有控制器。
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