[發明專利]半導體結構及其形成方法在審
| 申請號： | 201910936710.8 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN111640732A | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發明（設計）人： | 詹益旺;黃永泰;游馨;方曉培;童宇誠 | 申請（專利權）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底上形成有至少一半導體器件和層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述半導體器件；
互連結構，包括接觸插塞和第一接觸墊，所述接觸插塞貫穿所述層間介質層并延伸至所述半導體器件，所述第一接觸墊覆蓋所述接觸插塞的頂部，并延伸覆蓋部分所述層間介質層的頂表面；以及，
第二接觸墊，形成在所述層間介質層的頂表面上，并位于所述第一接觸墊的側邊。
2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體器件包括形成在所述襯底頂表面上的柵極導電層，所述層間介質層包括覆蓋柵極導電層頂表面的遮蔽層；其中，所述接觸插塞形成在所述柵極導電層的側邊，所述第一接觸墊從所述柵極導電層的側邊橫向延伸至所述遮蔽層上。
3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第二接觸墊形成在所述遮蔽層上，并與所述第一接觸墊間隔設置。
4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第一接觸墊中覆蓋所述遮蔽層的寬度尺寸小于所述第二接觸墊的寬度尺寸。
5.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述層間介質層還包括覆蓋柵極導電層側壁的隔離側墻，所述接觸插塞形成在所述隔離側墻遠離所述柵極導電層的一側，所述第一接觸墊橫向延伸并覆蓋與所述接觸插塞鄰近的隔離側墻。
6.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述層間介質層還包括形成在所述柵極導電層外圍的隔離介質層，所述導電插塞貫穿所述隔離介質層。
7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一接觸墊和所述第二接觸墊的材料相同。
8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第一接觸墊和所述第二接觸墊均包括第一導電層和形成在所述第一導電層上的第二導電層，并且所述第一接觸墊中的第一導電層和所述第二接觸墊中的第一導電層的材料相同，所述第一接觸墊中的第二導電層和所述第二接觸墊中的第二導電層的材料相同。
9.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底上形成有至少一半導體器件和層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述半導體器件；
互連結構，包括接觸插塞和第一接觸墊，所述接觸插塞貫穿所述層間介質層并延伸至所述半導體器件，所述第一接觸墊覆蓋所述接觸插塞的頂部，并延伸覆蓋部分所述層間介質層的頂表面；以及，
第二接觸墊，形成在所述層間介質層的頂表面上，并位于所述第一接觸墊的外圍；以及，
位于所述第一接觸墊和所述第二接觸墊之間的凹槽，所述凹槽還向下延伸停止于所述層間介質層中。
10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
絕緣填充層，填充在所述凹槽中并覆蓋所述第一接觸墊和所述第二接觸墊暴露于所述凹槽的側壁。
11.如權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，所述絕緣填充層中形成有空隙。
12.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體器件包括形成在所述襯底頂表面上的柵極導電層，所述層間介質層包括覆蓋柵極導電層頂表面的遮蔽層；
其中，所述接觸插塞形成在所述柵極導電層的側邊，所述第一接觸墊從所述柵極導電層的側邊橫向延伸至所述遮蔽層上，所述第二接觸墊形成在所述遮蔽層上并與所述第一接觸墊間隔設置，以及所述凹槽在所述第一接觸墊和所述第二接觸墊之間向下延伸停止于所述遮蔽層中。
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