[發明專利]半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201910935205.1
• 申請日: 2019-09-29
• 公開（公告）號: CN110534499B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 胡華;薛廣杰;曹開瑋;李赟
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/552;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底、位于襯底上的刻蝕阻擋層以及位于所述刻蝕阻擋層上的金屬互連結構，其中，所述刻蝕阻擋層包含至少兩層子刻蝕阻擋層，至少一層所述子刻蝕阻擋層對紫外光的消光系數大于氮化硅對紫外光的消光系數，靠近所述襯底的至少一層所述子刻蝕阻擋層的材質包含氮氧化硅，遠離所述襯底的至少一層所述子刻蝕阻擋層的材質包含氮化硅。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，至少一層所述子刻蝕阻擋層的材質包含富硅氧化硅。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述刻蝕阻擋層包含兩層子刻蝕阻擋層，第一子刻蝕阻擋層的材質包含氮氧化硅，第二子刻蝕阻擋層的材質包含氮化硅。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第一子刻蝕阻擋層靠近所述襯底，所述第二子刻蝕阻擋層遠離所述襯底。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包含：MOS晶體管，位于所述襯底與所述刻蝕阻擋層之間。

6.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

形成刻蝕阻擋層在所述襯底上，所述刻蝕阻擋層包含至少兩層子刻蝕阻擋層，至少一層所述子刻蝕阻擋層對紫外光的消光系數大于氮化硅對紫外光的消光系數，靠近所述襯底的至少一層所述子刻蝕阻擋層的材質包含氮氧化硅，遠離所述襯底的至少一層所述子刻蝕阻擋層的材質包含氮化硅；

形成金屬互連結構在所述刻蝕阻擋層上。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，至少一層所述子刻蝕阻擋層的材質包含富硅氧化硅。

8.如權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層包含兩層子刻蝕阻擋層，第一子刻蝕阻擋層的材質包含氮氧化硅，第二子刻蝕阻擋層的材質包含氮化硅。