[發明專利]封裝后修復方法及封裝后修復裝置有效
| 申請號: | 201910921238.0 | 申請日: | 2019-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN112116946B | 公開(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發明(設計)人: | 許庭碩;沈志瑋 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/44 | 分類號: | G11C29/44 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩華;姚開麗 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 修復 方法 裝置 | ||
本發明公開了一種封裝后修復方法及封裝后修復裝置,封裝后修復(PPR)方法包含以下步驟:接收第一PPR信號以及第二PPR信號,其中第一PPR信號對應于第一PPR模式,且第二PPR信號對應于第二PPR模式;以及依據第一PPR信號以及第二PPR信號產生第一有效信號以及第二有效信號,其中當第一PPR信號以及第二PPR信號均包含致能信息時,第一有效信號以及第二有效信號中只有一個包含有效信息。當第一有效信號包含有效信息時,第一PPR模式被執行,以及當第二有效信號包含有效信息時,第二PPR模式被執行。本發明所述的封裝后修復方法可防止同時接收執行不同操作的指令時產生錯誤。
技術領域
本發明是有關于一種封裝后修復方法及封裝后修復裝置,且特別是有關于存儲器陣列的封裝后修復方法以及封裝后修復裝置。
背景技術
集成電路包含可以用來代替損壞的元件部分的冗余元件部分。例如,一種包含存儲器單元的動態隨機存取存儲器(DRAM)陣列類型的存儲器電路。存儲器單元按行與列排列。為了儲存一些信息,每個行與列都是可尋址的。隨著存儲器單元的密度增加,在制造過程中故障單元的數量也會增加。為了減少故障單元的影響,冗余存儲器單元,或者更確切地說,存儲器單元的冗余部分可用于修復陣列的受損部分,其中受損部分包括一個或多個損壞的存儲器單元。
一旦識別出集成電路的損壞部分,修復過程包含用冗余資源替換損壞的部分。用冗余資源替換損壞部分的方法包含硬封裝后修復(hPPR)和軟封裝后修復的方法(SPPR)。
軟封裝后修復(sPPR)是一種快速但暫時修復存儲器陣列的列單元的方法,與硬封裝后修復(hPPR)相反,后者需要更長時間但永久修復存儲器陣列的列單元。封裝后修復裝置接收命令以執行sPPR操作或hPPR操作。但是,當同時接收執行sPPR操作和執行hPPR操作的兩個指令時,可能會引起問題。
發明內容
本發明的一個目的在于提供一種封裝后修復(PPR)方法,方法可防止同時接收執行不同操作的指令時產生錯誤。此方法包含以下步驟:接收第一PPR信號以及第二PPR信號,其中第一PPR信號對應于第一PPR模式,且第二PPR信號對應于第二PPR模式;以及依據第一PPR信號以及第二PPR信號產生第一有效信號以及第二有效信號,其中當第一PPR信號以及第二PPR信號均包含致能信息時,第一有效信號以及第二有效信號中只有一個包含有效信息。當第一有效信號包含有效信息時,第一PPR模式被執行,以及當第二有效信號包含有效信息時,第二PPR模式被執行。
在部分實施例中,還包含接收模式轉換信號,其中當第一PPR信號以及第二PPR信號均包含致能信息時,模式轉換信號控制第一有效信號及第二有效信號中的哪一個包含有效信息。
在部分實施例中,其中當模式轉換信號的數值為第一數值,且第一PPR信號以及第二PPR信號均包含致能信息時,第一有效信號包含有效信息且第二有效信號包含無效信息,其中當模式轉換信號的數值為第二數值,且第一PPR信號以及第二PPR信號均包含致能信息時,第一有效信號包含無效信息且第二有效信號包含有效信息。
在部分實施例中,還包含:當第一有效信號包含有效信息時,產生包含致能信息的第一產生信號;以及當第二有效信號包含有效信息時,產生包含致能信息的第二產生信號。
在部分實施例中,其中第一PPR模式為硬封裝后修復模式,且第二PPR模式為軟封裝后修復模式。
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