[發明專利]存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 201910916123.2
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN110767659A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 徐融;蘇界;孫文斌;羅佳明;顧立勛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 董琳

1.一種存儲器的形成方法，其特征在在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有堆疊結構；

形成貫穿所述堆疊結構至所述襯底表面的溝道孔；

在所述溝道孔內形成溝道孔結構，所述溝道孔結構包括位于所述溝道孔底部的襯底表面的外延半導體層、覆蓋所述溝道孔側壁的功能側墻以及覆蓋所述功能側墻連接所述外延半導體層的溝道層以及填充所述溝道孔的溝道介質層；

采用各向同性刻蝕工藝，回刻蝕所述溝道介質層至設定高度，暴露出部分溝道層；

在回刻蝕后的溝道介質層頂部形成電接觸部，所述電接觸部與所述溝道層之間形成電連接。

2.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述溝道介質層內形成有氣隙，所述氣隙位于所述設定高度的下方。

3.根據權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述氣隙頂部與所述設定高度之間的高度差大于等于90nm。

4.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積工藝形成所述溝道介質層。

5.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述各向同性刻蝕工藝至少包括濕法刻蝕工藝。

6.根據權利要求5所述的存儲器的形成方法，其特征在于，對所述溝道介質層進行回刻蝕的方法包括：采用濕法刻蝕工藝，對所述溝道介質層進行刻蝕；繼續采用氣體刻蝕工藝，利用氣體分子與所述溝道介質層反應，進一步將所述溝道介質層回刻蝕至所述設定高度。

7.根據權利要求5所述的存儲器的形成方法，其特征在于，對所述溝道介質層進行回刻蝕的方法包括：僅采用濕法刻蝕工藝，對所述溝道介質層進行刻蝕直至所述設定高度。

8.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，還包括：對暴露的所述溝道層進行清洗。

9.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述溝道孔的側壁中部向外凸出。

10.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上形成有堆疊結構以及貫穿所述堆疊結構至所述襯底表面的溝道孔結構，所述溝道孔結構包括位于所述溝道孔底部的襯底表面的外延半導體層、覆蓋所述溝道孔側壁的功能側墻以及覆蓋所述功能側墻連接所述外延半導體層的溝道層以及填充所述溝道孔的溝道介質層，所述溝道介質層頂部低于所述溝道層頂部，暴露出部分所述溝道層，且所述溝道介質層具有經過各向異性刻蝕工藝刻蝕后的頂部表面；

位于所述溝道介質層頂部的接觸部，所述接觸部與所述溝道層之間形成電連接。

11.根據權利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述溝道介質層內形成有氣隙，所述氣隙位于所述溝道介質層內。

12.根據權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述氣隙頂部與所述溝道介質層頂部之間的高度差大于等于90nm。

13.根據權利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述溝道介質層為原子層沉積層。

14.根據權利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述各向異性刻蝕工藝至少包括濕法刻蝕工藝。

15.根據權利要求14所述的存儲器，其特征在于，所述各向異性刻蝕工藝包括濕法刻蝕工藝以及在所述濕法刻蝕工藝之后的氣體刻蝕工藝。

16.根據權利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述溝道結構的側壁中部向外凸出。