[發(fā)明專利]背照式圖像傳感器光電子隔離層網(wǎng)柵的輔助圖形結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910914910.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110634899B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李葆軒;于世瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
| 地址: | 201315 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 背照式 圖像傳感器 光電子 隔離 層網(wǎng)柵 輔助 圖形 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種背照式圖像傳感器光電子隔離層網(wǎng)柵的輔助圖形結(jié)構(gòu),針對(duì)圖像傳感器的深槽隔離網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)的輔助圖形,所述的輔助圖形為包含兩組相對(duì)平行的線段,兩組相對(duì)平行的線段共形成四個(gè)交叉區(qū)域,以合圍形成口字型,所述的每組對(duì)邊均包含中間粗兩端細(xì)的線段,其兩端較細(xì)的部分相互交叉。或者是輔助圖形包含口子型主體部分及四個(gè)頂角部分,且主體形成的四個(gè)頂角又由四個(gè)小口字型組成,分別與主體的相鄰兩邊相接;所述的四個(gè)頂角向外延伸凸出;本發(fā)明在網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)圖形中所能添加輔助圖形較短的情況下,對(duì)輔助圖形拐角處進(jìn)行了交叉和外凸兩種特殊優(yōu)化處理,從而顯著增加圖形、特別是拐角處圖形的工藝窗口。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造工藝領(lǐng)域,特別是指一種背照式圖像傳感器光電子隔離層網(wǎng)柵的輔助圖形結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)型攝像頭的圖像傳感器CIS的整個(gè)光電二極管photodiode位于感光芯片的最下層,傳感器的A/D轉(zhuǎn)換器和放大電路位于光電二極管的上層位置,所以光電二極管到透鏡的距離是比較遠(yuǎn)的,光線到達(dá)要求也會(huì)更加高。
除此之外,傳統(tǒng)感光芯片上層的線路連接層還會(huì)出現(xiàn)光線的反射,影響到達(dá)光電二極管的光線強(qiáng)度,從而使傳感器的受光量減少。所以在一般的情況下,傳統(tǒng)型攝像頭傳感器在日光較為充足的時(shí)候拍照是沒(méi)什么問(wèn)題的,但在弱光環(huán)境下表現(xiàn)就會(huì)顯得吃力,較難在低光環(huán)境下拍攝出明亮、質(zhì)量好的照片。
為了改善這一種狀況,于是出現(xiàn)了背照式圖像傳感器,相比起普通的傳感器,搭載背照式圖像傳感器的攝像頭能夠在弱光環(huán)境下,提高約30%~50%的感光能力,能夠在弱光下拍攝更高的質(zhì)量的照片。
背照式傳感器的感光能力能夠得到極大提高,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是因?yàn)楸痴帐綀D像傳感器比傳統(tǒng)的圖像傳感器更薄,具有更佳的畫質(zhì)和更低的噪點(diǎn)等特性。它把感光層與基質(zhì)的位置互換,直接與透光面接觸,因而減少了中間環(huán)節(jié)光線的損失,并且在透光面上每個(gè)對(duì)應(yīng)的像素表面都改為透鏡的形式,更集中地匯聚了外界的光線到對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)上,減少了像素之間多余的光線干擾(也簡(jiǎn)稱增加了開(kāi)口率)。
背照式圖像傳感器是在光電二極管photodiode背面搭建CF(彩色濾光片)及微透鏡Micro Lens的技術(shù),光線由背面射入,增大了光電元件感光面積,減少了光線經(jīng)過(guò)布線時(shí)的損失,以此可以大幅提高CIS在弱光環(huán)境下的感光能力。背照式圖像傳感器中需要使用深溝道隔離DTI層(Deep Trench Isolation),相比簡(jiǎn)單的離子注入,可以顯著減少不同感光單元間的光電子散射。然而,由于其特有的網(wǎng)柵結(jié)構(gòu),導(dǎo)致所能加入的輔助圖形SRAF(SubResolution Assist Feature)過(guò)短,對(duì)圖形、特別是接近轉(zhuǎn)角處的圖形工藝窗口提升非常有限。
DTI層主體圖形較為孤立,在KrF曝光條件下,工藝窗口不夠,需要添加亞分辨率的輔助圖形SRAF以達(dá)到提升工藝窗口的目的。
通過(guò)插入SRAF可以有效地改善圖形的空間頻率和空間像,從而提高光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(OPC)精度,因此對(duì)提高工藝窗口起到一定的作用。
SRAF常用于提高光刻工藝的對(duì)比度(contrast),圖形的景深(DOF, depth offocus)和工藝冗余度(tolerance),從而提高光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(OPC)精度,因此對(duì)提高工藝窗口起到一定的作用。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





