[發(fā)明專利]一種具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910907568.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110611002B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張毅;吳建宇;王東瀟;武墨青;武莉;劉瑋;敖建平;孫云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南開大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京得信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11511 | 代理人: | 孟海娟 |
| 地址: | 300350 天*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 摻雜 mo 電極 太陽(yáng)電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開一種具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法,包括以下步驟:在襯底上制備Mo金屬電極;將所述Mo金屬電極在濃度級(jí)別為mmol/L的磷酸根溶液中進(jìn)行浸泡,然后以550℃退火30min,獲得P摻雜的Mo電極;在所述P摻雜的Mo電極上形成金屬預(yù)制層;對(duì)所述金屬預(yù)制層進(jìn)行后硒化處理或后硫化處理形成吸收層;在所述吸收層上形成緩沖層;在所述緩沖層上形成本征氧化鋅層和摻雜氧化鋅層;以及形成頂電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池制備技術(shù),具體涉及一種具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能是綠色清潔的能源之一,在解決化石能源危機(jī)方面具有重要的作用。提高太陽(yáng)電池器件效率和降低制造成本是大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用太陽(yáng)電池的主要研究方向。化合物薄膜太陽(yáng)電池具有較高理論效率,吸光率高,材料消耗低等優(yōu)勢(shì),是最有前景的太陽(yáng)電池之一。目前商業(yè)化應(yīng)用的太陽(yáng)電池為CIGS和CdTe等,通常利用金屬M(fèi)o作為器件的正電極。Mo化學(xué)性能穩(wěn)定,功函數(shù)為4.6eV。高功函數(shù)的背電極有利于太陽(yáng)電池中空穴的傳輸。提高背電極的功函數(shù),可以顯著優(yōu)化太陽(yáng)電池吸收層與背電極之間的勢(shì)壘高度,提高器件效率。
Mo的功函數(shù)與銅鋅錫硫硒(CZTSSe)等光伏材料的功函數(shù)不匹配,限制了器件效率的提升。而其他高功函數(shù)的電極如Au等,價(jià)格昂貴,不利于薄膜太陽(yáng)電池的商業(yè)化應(yīng)用。在CZTSSe太陽(yáng)電池高溫硒化制備時(shí),硫或者硒會(huì)與Mo生成二硫(硒)化鉬(MoS(e)2),惡化器件的串聯(lián)電阻,從而降低器件效率。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明公開一種P摻雜的Mo電極的制備方法,包括以下步驟:在襯底上制備Mo金屬電極;將所述Mo金屬電極在濃度級(jí)別為mmol/L的磷酸根溶液中進(jìn)行浸泡,然后以550℃退火30min,獲得P摻雜的Mo電極;在所述P摻雜的Mo電極上形成金屬預(yù)制層;對(duì)所述金屬預(yù)制層進(jìn)行后硒化處理或后硫化處理形成吸收層;在所述吸收層上形成緩沖層;在所述緩沖層上形成本征氧化鋅層和摻雜氧化鋅層;以及形成頂電極。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述磷酸根溶液是磷酸鈉溶液、磷酸鋰溶液、磷酸鉀溶液、磷酸銣溶液或磷酸銫溶液。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述磷酸根溶液的濃度為3mmol/L~9mmol/L。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述Mo金屬電極浸泡在磷酸根溶液中的時(shí)間為20min。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述吸收層材料為銅鋅錫硒薄膜、銅鋅錫硫硒薄膜或銅銦鎵硒薄膜。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述緩沖層材料為CdS、ZnS、(Cd,Zn)S、Zn(O,S)或In2S3,厚度為30nm~100nm。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述緩沖層采用化學(xué)水浴法、原子層沉積法或蒸發(fā)法制備。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述頂電極為鋁或者鎳鋁合金,厚度為0.5μm~4μm。
本發(fā)明的具有P摻雜的Mo電極的太陽(yáng)電池制備方法中,優(yōu)選為,所述本征氧化鋅層的厚度為30nm~150nm,所述摻雜氧化鋅的厚度為300nm~1500nm。
通過磷酸鈉溶液(Na3PO4)處理,制備P摻雜的Mo電極,使Mo的功函數(shù)從4.6eV提高到5.6eV。P摻雜的Mo電極不僅提高了背電極的功函數(shù),還抑制了MoS(e)2。磷酸鈉溶液處理Mo電極制備P摻雜的Mo工藝簡(jiǎn)單,降低了太陽(yáng)電池的制造成本。
附圖說明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南開大學(xué),未經(jīng)南開大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910907568.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 用于鉆削復(fù)合材料構(gòu)件的刀具的設(shè)計(jì)方法以及其刀具
- 鋰離子二次電池用正極活性物質(zhì)及其制造方法
- 一種蒸汽輸送MO源連續(xù)供應(yīng)系統(tǒng)
- 適用于大口徑光電探測(cè)系統(tǒng)的波前光學(xué)抖動(dòng)分析方法
- 一種輔助診斷待測(cè)胎兒是否為21-三體綜合征患者的試劑盒
- 使用2D設(shè)置對(duì)高保真度立體聲響復(fù)制音頻聲場(chǎng)表示進(jìn)行解碼以便音頻回放的方法和裝置
- 單組分氣體在各向異性煤層中流動(dòng)過程的計(jì)算方法
- 電動(dòng)汽車的控制效率分配方法及裝置
- 含銀高分子的封填材料及其于臨床牙科的應(yīng)用
- 一種MO源四聯(lián)鋼瓶





