[發(fā)明專利]一種利用熱敏電阻基片進(jìn)行高溫測(cè)定的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910897751.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110542488A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陰衛(wèi)華;周好;周善喜;孫振;石宇;姜潘;陰啟蓬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽晶格爾電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01K7/22 | 分類號(hào): | G01K7/22 |
| 代理公司: | 34156 阜陽(yáng)翰邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 王玲霞<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入 |
| 地址: | 233000 安徽省蚌*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱敏電阻 燒結(jié) 高溫?zé)Y(jié)爐 檢測(cè) 標(biāo)準(zhǔn)表格 高溫測(cè)定 溫度分布 校對(duì) 取出 查找 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種利用熱敏電阻基片進(jìn)行高溫測(cè)定的方法,包括以下步驟:建立熱敏電阻基片的燒結(jié)溫度與對(duì)應(yīng)的熱敏電阻的B值之間的標(biāo)準(zhǔn)表格;將熱敏電阻基片放置在待測(cè)定溫度的位置,在待測(cè)定溫度下燒結(jié),取出后檢測(cè)熱敏電阻的B值檢測(cè)值;在標(biāo)準(zhǔn)表格中查找B值檢測(cè)值所對(duì)應(yīng)的燒結(jié)溫度,即為待測(cè)定溫度。本發(fā)明提供的高溫測(cè)定方法可以測(cè)定1000?1250℃范圍內(nèi)的溫度,準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、重復(fù)性好,可以用于檢測(cè)高溫?zé)Y(jié)爐內(nèi)某點(diǎn)的燒結(jié)溫度,檢測(cè)高溫?zé)Y(jié)爐內(nèi)的溫度分布,以及不同高溫?zé)Y(jié)爐之間的校對(duì)等。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及溫度測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種利用熱敏電阻基片進(jìn)行高溫測(cè)定的方法。
背景技術(shù)
高溫?zé)Y(jié)爐,是一種在高溫下,使生坯固體顆粒(比如陶瓷生坯固體顆粒)相互鍵聯(lián),使晶粒長(zhǎng)大,空隙(氣孔)和晶界漸趨減少的工藝設(shè)備。
目前用高溫?zé)Y(jié)爐存在的問(wèn)題是:加熱后燒結(jié)爐的爐腔內(nèi)不同位置存在溫差,單一位置的溫度檢測(cè)容易誤導(dǎo)操作人員,造成錯(cuò)誤的工藝時(shí)間安排,如果開(kāi)爐之后才發(fā)現(xiàn)溫度不達(dá)標(biāo),影響最終的產(chǎn)品質(zhì)量;目前人們一般采用陶瓷測(cè)溫環(huán)、熱電偶等工具測(cè)量高溫?zé)Y(jié)溫度,但是這些測(cè)量結(jié)果只能反映測(cè)量設(shè)備所處環(huán)境的溫度,燒結(jié)材料真正承受的溫度是無(wú)法直接測(cè)量的,并且有些場(chǎng)合這些測(cè)溫設(shè)備應(yīng)用受到一定限制,導(dǎo)致無(wú)法使用;另外在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中,經(jīng)常面臨切換高溫爐進(jìn)行燒結(jié)或使用多個(gè)高溫爐進(jìn)行燒結(jié)的情況,各臺(tái)高溫爐受限于熱電偶的差異,設(shè)置溫度與實(shí)際溫度有一定的差異,造成多臺(tái)高溫?zé)Y(jié)爐的實(shí)際燒結(jié)溫度存在差異,且該差異無(wú)法預(yù)判。
發(fā)明內(nèi)容
基于背景技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種利用熱敏電阻基片進(jìn)行高溫測(cè)定的方法,該方法準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、重復(fù)性好,可以用于檢測(cè)高溫?zé)Y(jié)爐內(nèi)不同位置的燒結(jié)溫度等。
本發(fā)明提供了一種利用熱敏電阻基片進(jìn)行高溫測(cè)定的方法,包括以下步驟:
S1、建立熱敏電阻基片的燒結(jié)溫度與對(duì)應(yīng)的熱敏電阻的B值之間的標(biāo)準(zhǔn)表格;
S2、將熱敏電阻基片放置在待測(cè)定溫度的位置,在待測(cè)定溫度下燒結(jié),取出后檢測(cè)熱敏電阻的B值檢測(cè)值;
S3、在S1得到的標(biāo)準(zhǔn)表格中查找S2所得到的B值檢測(cè)值所對(duì)應(yīng)的燒結(jié)溫度,即為待測(cè)定溫度;
所述S1中建立標(biāo)準(zhǔn)表格時(shí)的燒結(jié)時(shí)間與S2中在待測(cè)定溫度下燒結(jié)的燒結(jié)時(shí)間相同。
優(yōu)選地,所述B值的檢測(cè)方法參照GB/T 6663.1-2007。
優(yōu)選地,所述S1中建立熱敏電阻基片的燒結(jié)溫度與對(duì)應(yīng)B值的標(biāo)準(zhǔn)表格時(shí),燒結(jié)溫度采用標(biāo)準(zhǔn)熱電偶測(cè)定。
優(yōu)選地,所述待測(cè)定溫度范圍為1000-1250℃。
優(yōu)選地,所述燒結(jié)時(shí)間≥3分鐘。
優(yōu)選地,所述燒結(jié)時(shí)間為5-20分鐘。
本發(fā)明提供的高溫測(cè)定方法利用B值是熱敏電阻基片的材料常數(shù)這一特性進(jìn)行高溫檢測(cè),可以測(cè)定1000-1250℃范圍內(nèi)的溫度,最小測(cè)量單位可精確到10℃。本發(fā)明通過(guò)檢測(cè)熱敏電阻B值來(lái)推導(dǎo)燒結(jié)溫度,準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、重復(fù)性好,可以用于檢測(cè)高溫?zé)Y(jié)爐內(nèi)某點(diǎn)的燒結(jié)溫度,檢測(cè)高溫?zé)Y(jié)爐內(nèi)的溫度分布,以及不同高溫?zé)Y(jié)爐之間的校對(duì)等。
具體實(shí)施方式
此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明,并不用于限制本發(fā)明。
本發(fā)明提供了一種利用熱敏電阻基片進(jìn)行高溫測(cè)定的方法,包括以下步驟:
S1、建立熱敏電阻基片的燒結(jié)溫度與對(duì)應(yīng)的熱敏電阻的B值之間的標(biāo)準(zhǔn)表格;
S2、將熱敏電阻基片放置在待測(cè)定溫度的位置,在待測(cè)定溫度下燒結(jié),取出后檢測(cè)熱敏電阻的B值檢測(cè)值;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安徽晶格爾電子有限公司,未經(jīng)安徽晶格爾電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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