[發明專利]一種真空鍍膜設備及對導電導磁托盤進行快速加熱的方法

在審

• 申請號: 201910897466.9
• 申請日: 2019-09-23
• 公開（公告）號: CN110512183A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 田罡煜;張永勝;何學勇;劉亞南;喻大偉
• 申請（專利權）人: 蘇州邁正科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C16/46;C23C16/458
• 代理公司: 32103 蘇州創元專利商標事務所有限公司
• 代理人: 孫仿衛<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種真空鍍膜設備，包括：

通過閥門進行隔離的多個腔體；

用于在所述多個腔體之間傳輸導電導磁托盤的傳送裝置；

所述腔體中至少有一個鍍膜腔；

所述腔體中至少有一個預加熱的裝載腔；

其特征在于：

所述真空鍍膜設備還包括由金屬線繞設而成的感應線圈，所述感應線圈位于所述真空鍍膜設備的一個或多個腔體內，所述感應線圈兩端連接有中高頻交流電以形成交變磁場，所述導電導磁托盤位于所述交變磁場內。

2.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述感應線圈由所述金屬線以所述感應線圈所在腔體的軸心線為軸螺旋而成，所述感應線圈中部沿所述感應線圈所在腔體的軸心線方向具有放置所述導電導磁托盤的空間，所述空間內具有所述交變磁場。

3.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述導電導磁托盤位于所述交變磁場時，所述導電導磁托盤與所述金屬線之間具有一定的間距，所述間距可根據實際需求進行變更。

4.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述感應線圈由所述金屬線在同一平面內沿幾字型繞設而成。

5.根據權利要求4所述的真空鍍膜設備導電導磁托盤的加熱裝置，其特征在于：所述感應線圈所在的平面平行于所述感應線圈所在腔體的軸心線。

6.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述金屬線為中空銅管，所述中空銅管的中空部分通有絕緣型冷卻液。

7.根據權利要求6所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述冷卻液為純水。

8.根據權利要求6所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述冷卻液通入所述中空銅管時的溫度≤40℃。

9.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述感應線圈所在的腔體設置有消磁裝置。

10.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述傳送裝置由絕緣材料制成。

11.根據權利要求1-10中任意一種所述的真空鍍膜設備對導電導磁托盤進行快速加熱的方法，包括以下步驟：

A.將金屬線繞設成感應線圈，將感應線圈放入真空鍍膜設備的一個或多個腔體內；

B.在步驟A中的感應線圈中通入中高頻交流電，使感應線圈四周產生極性瞬間變化的交變磁場；

C.所述導電導磁托盤位于步驟B中的交變磁場內，產生渦流效應和磁滯現象，從而被加熱。

12.根據權利要求11所述的對導電導磁托盤進行快速加熱的方法，其特征在于：步驟A中的所述感應線圈由所述金屬線以所述感應線圈所在腔體的軸心線為軸螺旋而成，所述感應線圈中部沿所述感應線圈所在腔體軸心線方向具有放置所述導電導磁托盤的空間，所述空間內具有所述交變磁場。

13.根據權利要求12所述的對導電導磁托盤進行快速加熱的方法，其特征在于：步驟C中所述導電導磁托盤位于所述交變磁場中時，所述導電導磁托盤與所述金屬線之間具有一定間距，所述間距可根據實際需求進行變更。

14.根據權利要求11所述的對導電導磁托盤進行快速加熱的方法，其特征在于：步驟A中所述感應線圈由所述金屬線在同一平面內沿幾字型繞設而成。

15.根據權利要求14所述的對導電導磁托盤進行快速加熱的方法，其特征在于：步驟A中所述感應線圈所在的平面平行于所述感應線圈所在腔體的軸心線。

16.根據權利要求11所述的對導電導磁托盤進行快速加熱的方法，其特征在于：步驟A中所述金屬線為中空銅管，所述中空銅管的中空部分通有絕緣型冷卻液。