[發(fā)明專利]靜電吸盤系統(tǒng)、成膜裝置、被吸附體分離方法、成膜方法及電子器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910896704.4 | 申請日: | 2019-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN110938806A | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柏倉一史;石井博 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能特機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50;C23C14/24;C23C14/04;H01L51/56;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 劉楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 吸盤 系統(tǒng) 裝置 吸附 分離 方法 電子器件 制造 | ||
1.一種靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
該靜電吸盤系統(tǒng)包括:
靜電吸盤,包括多個電極部;
電壓施加部,用于對所述靜電吸盤的所述電極部施加電壓;以及
電壓控制部,用于控制基于所述電壓施加部的電壓施加,
所述電壓控制部對所述電壓施加部進(jìn)行控制,以對吸附有第1被吸附體并隔著所述第1被吸附體吸附有第2被吸附體的所述靜電吸盤的所述多個電極部分別獨(dú)立地施加用于使所述第2被吸附體從所述第1被吸附體分離的第1分離電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
所述電壓控制部對所述電壓施加部進(jìn)行控制,以在通過施加所述第1分離電壓而使所述第2被吸附體分離之后,對所述多個電極部分別獨(dú)立地施加使所述第1被吸附體從所述靜電吸盤分離的第2分離電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
所述第1分離電壓是在維持第1被吸附體吸附于所述靜電吸盤的狀態(tài)下僅使所述第2被吸附體從所述第1被吸附體分離的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
所述第1分離電壓的絕對值大于所述第2分離電壓的絕對值。
5.根據(jù)權(quán)利要求2~4中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
所述第2分離電壓是電壓值為零或者與使所述第1被吸附體以及所述第2被吸附體吸附于所述靜電吸盤時的吸附電壓相反極性的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求2~5中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
在對所述多個電極部分別獨(dú)立地施加所述第1分離電壓時,進(jìn)行控制,以使所述第1分離電壓分別向所述多個電極部施加的施加時期不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
所述第1分離電壓分別向所述多個電極部施加的施加時期的控制為,進(jìn)行控制,以與對所述多個電極部分別施加使所述第2被吸附體隔著所述第1被吸附體吸附時的吸附電壓的順序相同的順序,對所述多個電極部分別施加所述第1分離電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求2~7中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
在對所述多個電極部分別獨(dú)立地施加所述第1分離電壓時,進(jìn)行控制,以使對所述多個電極部分別施加的所述第1分離電壓的大小不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
對所述多個電極部分別施加的第1分離電壓的大小的控制為,進(jìn)行控制,以在所述第1分離電壓為與所述吸附電壓相同極性的電壓的情況下,按照對所述多個電極部分別施加使所述第2被吸附體隔著所述第1被吸附體吸附時的吸附電壓的順序,對所述多個電極部中的先被施加了使所述第2被吸附體隔著所述第1被吸附體吸附時的吸附電壓的電極部,施加絕對值較小的電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
對所述多個電極部分別施加的第1分離電壓的大小的控制為,進(jìn)行控制,以在所述第1分離電壓相對于所述吸附電壓為相反極性的電壓的情況下,按照對所述多個電極部分別施加使所述第2被吸附體隔著所述第1被吸附體吸附時的吸附電壓的順序,對所述多個電極部中的先被施加了使所述第2被吸附體隔著所述第1被吸附體吸附時的吸附電壓的電極部,施加絕對值較大的電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求2~10中任一項(xiàng)所述的靜電吸盤系統(tǒng),其特征在于,
在對所述多個電極部分別獨(dú)立地施加所述第2分離電壓時,進(jìn)行控制,以使所述第2分離電壓向所述多個電極部分別施加的施加時期不同。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





