[發(fā)明專利]一種基于MEMS開關(guān)的頻率可重構(gòu)天線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910885276.5
• 申請(qǐng)日: 2019-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN110611164B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙嘉昊;李明;陶青長;梁志恒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01Q1/38
• 分類號(hào): H01Q1/38;H01Q5/10;H01Q5/28;H01Q5/314;H01Q1/48;H01Q1/50
• 代理公司: 北京眾合誠成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 史雙元

1.一種基于MEMS開關(guān)的頻率可重構(gòu)天線，所述天線包括：第一介質(zhì)基板(1)、第二介質(zhì)基板(2)和金屬地層(3)；第一介質(zhì)基板(1)位于天線的上方，金屬地層(3)位于第一介質(zhì)基板(1)與第二介質(zhì)基板(2)之間，與第一介質(zhì)基板(1)和第二介質(zhì)基板(2)構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)；其特征在于，

第一介質(zhì)基板(1)的上表面設(shè)置有第一金屬貼片(4)、第二金屬貼片(5)、第三金屬貼片(6)、MEMS開關(guān)的驅(qū)動(dòng)焊盤(7)和MEMS開關(guān)的接地焊盤(8)，在所述第一介質(zhì)基板(1)內(nèi)開槽埋入有第一MEMS開關(guān)(9)、第二MEMS開關(guān)(10)以及信號(hào)連接線(11)；第一金屬貼片(4)和第二金屬貼片(5)通過信號(hào)連接線(11)分別與第一MEMS開關(guān)(9)連接，第一金屬貼片(4)和第三金屬貼片(6)通過信號(hào)連接線(11)分別與第二MEMS開關(guān)(10)連接；

第二介質(zhì)基板(2)的下表面設(shè)置有MEMS開關(guān)的驅(qū)動(dòng)偏置線(12)和天線同軸饋電端口(13)；

在第一介質(zhì)基板(1)內(nèi)設(shè)置有第一金屬化通孔(14)；第一金屬化通孔(14)的各個(gè)圓心位置與第三金屬貼片(6)的邊緣距離相等；所述第三金屬貼片(6)通過所述第一金屬化通孔(14)和金屬地層(3)進(jìn)行接地短路；第一金屬化通孔(14)的直徑d為0.2mm～0.6mm，間距p為0.8mm～1.2mm,所述第一金屬化通孔(14)的個(gè)數(shù)為4～6個(gè)；

在第一介質(zhì)基板(1)、金屬地層(3)和第二介質(zhì)基板(2)內(nèi)貫穿設(shè)置有第二金屬化通孔(15)；在第一介質(zhì)基板(1)內(nèi)設(shè)置有第三金屬化通孔(16)；在第二介質(zhì)基板(2)內(nèi)設(shè)置有第四金屬化通孔(17)；所述MEMS開關(guān)的驅(qū)動(dòng)焊盤(7)通過第二金屬化通孔(15)和MEMS開關(guān)驅(qū)動(dòng)偏置線(12)進(jìn)行連接；所述MEMS開關(guān)的接地焊盤(8)通過所述第三金屬化通孔(16)和所述金屬地層(3)進(jìn)行連接，天線同軸饋電端口(13)通過金屬探針實(shí)現(xiàn)所述第一金屬貼片(4)的饋電；所述天線同軸饋電端口(13)通過所述第四金屬化通孔(17)與所述金屬地層(3)進(jìn)行連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS開關(guān)的頻率可重構(gòu)天線，其特征在于：當(dāng)所述第一MEMS開關(guān)(9)和所述第二MEMS開關(guān)(10)均為Down態(tài)時(shí)，所述第一金屬貼片(4)為輻射單元，天線工作于Ka頻段；

當(dāng)所述第一MEMS開關(guān)(9)為Up態(tài)且所述第二MEMS開關(guān)(10)為Down態(tài)時(shí)，所述第一金屬貼片(4)和所述第二金屬貼片(5)為輻射單元，天線工作于Ku頻段；

當(dāng)所述第一MEMS開關(guān)(9)為Down態(tài)且所述第二MEMS開關(guān)(10)為Up態(tài)時(shí)，所述第一金屬貼片(4)和所述第三金屬貼片(6)為輻射單元，天線工作于X頻段。