[發明專利]三維存儲器及其驅動方法、及其驅動裝置、及電子設備

有效

• 申請號: 201910877952.4
• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN110739015B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 王啟光
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/24;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：存儲區與設于所述存儲區上的位線層，所述位線層包括多個間隔設置的位線，每個所述存儲區包括至少兩個存儲塊，所述至少兩個存儲塊包括第一存儲塊與第二存儲塊，所述第一存儲塊與所述第二存儲塊內設有相同類型的溝道層，所述第一存儲塊上設有多個間隔設置的與所述溝道層類型相同的第一類栓塞，所述第二存儲塊上設有多個間隔設置的與所述溝道層類型不同的第二類栓塞，位于同一列的一個所述第一類栓塞與一個所述第二類栓塞連接于一條所述位線。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，位于同一列的所述第一類栓塞交替間隔連接于相鄰的兩條所述位線，位于同一列的所述第二類栓塞交替間隔連接于相鄰的兩條所述位線。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括多個連接體，一個所述第一類栓塞通過一個所述連接體連接于一條所述位線，一個所述第二類栓塞通過一個所述連接體連接于一條所述位線。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，每個所述第一類栓塞與每個所述第二類栓塞均包括第一端以及與所述第一端相對設置的第二端，多個所述連接體交替設于所述第一端與所述第二端。

5.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述存儲區包括：襯底、堆疊結構、電荷存儲層以及溝道層，所述堆疊結構形成于所述襯底上，所述堆疊結構具有溝道孔，所述溝道孔內設有延伸至所述襯底的外延結構，所述電荷存儲層形成在所述溝道孔的側壁上，所述溝道層形成在所述電荷存儲層與所述外延結構上，所述第一類栓塞形成在所述第一存儲塊的溝道層上，所述第二類栓塞形成在所述第二存儲塊的溝道層上。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一類栓塞為N型栓塞，所述第二類栓塞為P型栓塞，所述第一存儲塊與所述第二存儲塊的溝道層為N反型溝道層；或者，所述第一類栓塞為P型栓塞，所述第二類栓塞為N型栓塞，所述第一存儲塊與所述第二存儲塊的溝道層為P反型溝道層。

7.一種如權利要求1-6任一項所述三維存儲器的驅動方法，其特征在于，包括：

在所述位線層上施加第一電壓，在所述存儲區的字線層上施加第二電壓，所述第二電壓與所述第一電壓的壓差大于或等于所述第一存儲塊的溝道層的導通電壓，所述第一電壓小于所述第二存儲塊的溝道層的導通電壓；

調整所述第一電壓以形成第三電壓，使得所述第三電壓大于或等于所述第二存儲塊的溝道層的導通電壓，且使得所述第二電壓與第三電壓的壓差小于所以述第一存儲塊的溝道層的導通電壓。

8.根據權利要求7所述的驅動方法，其特征在于，所述第一類栓塞為N型栓塞，所述第二類栓塞為P型栓塞，所述第一存儲塊與所述第二存儲塊的溝道層為N反型溝道層，其中，調整所述第一電壓為增大所述第一電壓。

9.根據權利要求7所述的驅動方法，其特征在于，所述第一電壓為讀電壓、編程電壓或者擦除電壓。

10.根據權利要求7所述的驅動方法，其特征在于，所述第一電壓為0V。

11.一種如權利要求1-6任一項所述三維存儲器的驅動裝置，其特征在于，包括：驅動芯片與控制器，所述驅動芯片用于提供第一電壓與第二電壓，所述第一電壓施加到所述位線層上，所述第二電壓施加到所述存儲區的字線層上，所述第二電壓與所述第一電壓的壓差大于或等于所述第一存儲塊的溝道層的導通電壓，所述第一電壓小于所述第二存儲塊的溝道層的導通電壓；

所述控制器用于調整所述第一電壓以形成第三電壓，所述第三電壓大于或等于所述第二存儲塊的溝道層的導通電壓，且所述第二電壓與所述第三電壓的壓差小于所以述第一存儲塊的溝道層的導通電壓。

12.一種電子設備，其特征在于，包括處理器和如權利要求1-6任一項所述的三維存儲器，所述處理器用于向所述三維存儲器中寫入數據和讀取數據。