[發明專利]一種納米隱形面膜及其制作工藝

有效

• 申請號: 201910856344.5
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110433087B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 閆曉宇;曹晨;張維
• 申請（專利權）人: 紹興龍碧科技有限公司
• 主分類號: A61K8/02
• 分類號: A61K8/02;A61K8/25;A61K8/88;A61Q17/04;A61Q19/00;D01D5/00
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 朱瑩瑩

1.一種納米隱形面膜，其特征在于：原料成分組成為，以質量百分數計，3%~30%的聚酰胺，65%~96.9%的有機酸，以及0.1%-5%的納米級微孔二氧化硅顆粒；將上述原料混合后靜電紡絲出納米纖維層并形成在基材底層和保護層之間；其中，所述二氧化硅顆粒粒徑為5nm—300nm；所述有機酸為甲酸和乙酸中的一種或混合；在靜電紡絲過程中，靜電紡絲參數為電極電壓為20-80KV，紡絲電極間距為150-240mm，紡絲送液速度為100-300mm/s，基材傳動速度為40-200mm/min，紡絲濕度為20-35%，紡絲溫度為22-27℃。

2.根據權利要求1所述的一種納米隱形面膜，其特征在于：所述納米隱形面膜原料成分組成為，以質量百分數計，8%~20%的聚酰胺，78%~91.5%的有機酸，以及0.5%-2%的納米級微孔二氧化硅顆粒；將上述原料混合后靜電紡絲出納米纖維層并形成在基材底層和保護層之間 。

3.根據權利要求1或2所述的一種納米隱形面膜，其特征在于：所述二氧化硅顆粒的粒徑為5-100nm，當有機酸為甲酸和乙酸的混合時，甲酸和乙酸的質量比為1:2。

4.權利要求1或2或3所述的納米隱形面膜的制作工藝，其特征在于：包括如下步驟：

1）按照質量百分數將聚酰胺、有機酸進行混合得到電紡液，充分攪拌均勻，攪拌速度300-600r/min，攪拌時間2-6h，靜置脫泡；

2）加入SiO₂顆粒在電紡液中進行超聲波振蕩攪拌，攪拌速度為200-500r/min，攪拌時間4h；

3）將步驟2）處理后得到的溶液采用靜電紡絲機在基材底層上紡絲出納米纖維層，然后在納米纖維層上覆蓋有保護層，最終制備得到納米隱形面膜，其中在靜電紡絲過程中，電極電壓為20-80KV，紡絲電極間距為150-240mm，紡絲送液速度為100-300mm/s，基材傳動速度為40-200mm/min，紡絲濕度為20-35%，紡絲溫度為22-27℃。

5. 根據權利要求4所述的制作工藝，其特征在于： 包括如下步驟：

1）將質量分數為30%的聚酰胺為溶質，溶于質量分數65%的甲酸溶劑中形成電紡液，充分攪拌均勻，靜置脫泡，其中，攪拌速度600r/min，攪拌時間6h；

2）加入質量分數為5%的納米SiO₂顆粒在上述電紡液中進行超聲波振蕩攪拌，該超聲波震蕩攪拌速度為500r/min，攪拌時間4h；其中所用納米SiO₂顆粒粒徑100nm；

3）將步驟2）處理后的溶液采用靜電紡絲機在無紡布基材底層上紡絲出納米纖維層，并在納米纖維層上覆蓋有保護層，最終制備得到納米隱形面膜；其中，在靜電紡絲中的工藝參數為：

電極電壓80KV，紡絲電極間距180mm，紡絲送液速度300mm/s，基材傳動速度200mm/min，紡絲濕度30%，紡絲溫度27℃。

6.一種納米隱形面膜，其特征在于：原料成分組成為，以質量百分數計，3%~30%的聚酰胺，60%~96.8%的有機酸，0.1%-5%的納米級微孔二氧化硅顆粒和0.1%-5%的二氧化鈦顆粒，將上述原料混合后靜電紡絲出納米纖維層并形成在基材底層和保護層之間；其中，所述二氧化硅顆粒粒徑為5nm—300nm；二氧化鈦顆粒粒徑為5nm—200nm；所述有機酸為甲酸和乙酸中的一種或混合；其中在靜電紡絲過程中，靜電紡絲機參數為電極電壓為20-80KV，紡絲電極間距為150-240mm，紡絲送液速度為100-300mm/s，基材傳動速度為40-200mm/min，紡絲濕度為20-35%，紡絲溫度為22-27℃。

7.根據權利要求6所述的一種納米隱形面膜，其特征在于：所述納米隱形面膜的原料成分組成為，以質量百分數計，8%~20%的聚酰胺、75%~91%的有機酸、0.5%-2%的納米級微孔二氧化硅顆粒以及0.5%-3%的二氧化鈦顆粒，將上述原料混合后靜電紡絲出納米纖維層并形成在基材底層和保護層之間。