[發明專利]一種銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜及其制備與應用有效
| 申請號： | 201910847897.4 | 申請日： | 2019-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN110698077B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 牛廣達;唐江;潘偉程;楊波 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | C03C17/22 | 分類號： | C03C17/22;C04B41/85;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/115 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 許恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鹵素 鈣鈦礦厚膜 及其 制備 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將銫鉛鹵素鈣鈦礦材料放置具有凹槽的石英片上，然后加熱使溫度升至銫鉛鹵素鈣鈦礦的熔點以上，直至銫鉛鹵素鈣鈦礦完全熔化成液態，這些液態鈣鈦礦材料將完全填充所述石英片的凹槽；
(2)保持溫度維持在銫鉛鹵素鈣鈦礦的熔點以上，將基底覆蓋在液態的鈣鈦礦材料上，使液態鈣鈦礦材料在被基底和石英片包圍形成的凹槽空間內均勻分散；
(3)將溫度以0.1～5℃/min的速率緩慢降低進行冷卻，然后將石英片取下，利用石英片與銫鉛鹵素鈣鈦礦之間的惰性，即可得到粘連在基底上的鈣鈦礦厚膜，該鈣鈦礦厚膜即為厚度不低于1μm的銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜。
2.如權利要求1所述銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述銫鉛鹵素鈣鈦礦為銫鉛碘CsPbI3、銫鉛溴CsPbBr3、銫鉛氯CsPbCl3、或銫鉛碘溴CsPbIxBr(3-x)；所述銫鉛碘溴CsPbIxBr(3-x)中，0x3。
3.如權利要求1所述銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜的制備方法，其特征在于，所述基底為FTO透明導電玻璃基底、或氮化硼基底。
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