[發(fā)明專利]MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910826305.0 | 申請日： | 2019-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN110531540A | 公開（公告）日： | 2019-12-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王善朋;陶緒堂;喬杰;王子明 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | G02F1/00 | 分類號： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 37219 濟南金迪知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 顏洪嶺<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 石英管 調制 太赫茲調制器 復合結構 硅片表面 調制器 分散液 單晶 放入 體塊 加熱爐 泵浦激光功率 表面拋光 化合反應 寬帶調制 取上清液 制作工藝 離心管 靈敏度 上清液 硅片 烘干 超聲 稱取 封管 揮發(fā) 全光 旋涂 裝入 清洗 取出 覆蓋 | ||
1.一種MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器，其特征是，包括半導體Si襯底以及Si襯底表面覆蓋的MoTe2層。
2.根據(jù)權利要求1所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器，其特征是，所述MoTe2層位于半導體Si襯底的上表面。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器，其特征是，所述MoTe2層由2H相MoTe2納米片均勻分散堆疊形成。
4.一種權利要求1所述MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器的制備方法，其特征是，包括以下步驟：
(1)按照摩爾比Te:Mo＝10～15:1的比例稱取Te和Mo，裝入石英管中混勻，抽真空后燒結封管；
(2)將石英管放入加熱爐中，階段性升溫，使得Mo和Te充分化合反應；
(3)反應完畢后，當爐體溫度降至500～550℃時，取出石英管并離心，使生長得到的MoTe2單晶與多余的Te助熔劑分離，得到MoTe2體塊單晶；
(4)將MoTe2體塊單晶放入盛有NMP的離心管中進行超聲，得到MoTe2分散液；
(5)對獲得的分散液進行離心，取上清液；
(6)將MoTe2上清液旋涂在清洗后的硅片表面，烘干，使NMP溶液完全揮發(fā)，得到MoTe2和Si復合結構的太赫茲調制器。
5.根據(jù)權利要求2所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器的制備方法，其特征是，所述步驟(1)中抽真空的真空度為3～5×10-4Pa。
6.根據(jù)權利要求2所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器的制備方法，其特征是，所述步驟(2)中的階段性升溫，首先5～10小時升溫至400～600℃，恒溫20～25小時；然后10～15小時升溫至850～880℃，恒溫20～25小時。
7.根據(jù)權利要求2所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器的制備方法，其特征是，所述步驟(3)中爐體以0.2～2℃/小時的速率降溫。
8.根據(jù)權利要求2所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器的制備方法，其特征是，所述步驟(5)中離心的轉速為2000～5000轉/分，時間為10～20分鐘。
9.根據(jù)權利要求2所述的MoTe2和Si復合結構全光太赫茲調制器的制備方法，其特征是，所述步驟(6)中烘干溫度為80～100℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東大學，未經(jīng)山東大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910826305.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：3D電影眼鏡接口結構
- 下一篇：一種實現(xiàn)圓二色性的平面微納結構
