[發(fā)明專利]集成電路封裝結構及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910818863.2 | 申請日: | 2019-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN112447777A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林繼周;和正平 | 申請(專利權)人: | 旭景科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G06K9/00 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 宋永慧 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市大安*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 封裝 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種集成電路封裝結構,其特征在于,包括:
第一基材層,具有第一頂面與第一底面,其中多個導線電路形成于所述第一頂面與所述第一底面;
集成電路,具有至少一鍍金芯片焊墊在所述集成電路頂面,其中所述至少一鍍金芯片焊墊通過表面貼裝技術連接到所述第一基材層的所述第一底面對應的導線電路;
第二基材層,具有第二頂面與第二底面,其中多個導線電路形成于所述第二底面,且所述導線電路的部分被防焊油墨覆蓋而其它部分露出于外部;
填料層,形成于所述第一基材層與所述第二基材層之間并環(huán)繞所述集成電路,黏附所述第一基材層和所述第二基材層,且固定所述第一基材層和所述第二基材層之間的所述集成電路;
其中至少一鍍通孔穿過所述第二基材層、所述填料層及所述第一基材層而形成,連接形成所述第二基材層與所述第一基材層的導線電路。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述集成電路被保護涂層覆蓋,但所述鍍金芯片焊墊未被所述保護涂層覆蓋。
3.根據(jù)權利要求2所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述保護涂層包含絕緣和鈍化有機材料。
4.根據(jù)權利要求3所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述絕緣和鈍化有機材料為聚酰亞胺。
5.根據(jù)權利要求4所述的集成電路封裝結構,其特征在于,多個主動元件與被動元件固定于所述填料層中,且每一元件通過表面貼裝技術連接到所述第一基材層的所述第一底面對應的導線電路。
6.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述填料層由熱固性材料制成。
7.根據(jù)權利要求6所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述熱固性材料為樹脂或預浸漬黏合片。
8.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,還包含防焊油墨,所述防焊油墨形成于所述第一頂面,其中所述第一頂面的部分導線電路被防焊油墨覆蓋。
9.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,還包含金屬表圈或金屬框,所述金屬表圈連接到所述第一基材層的所述第一頂面的部分導線電路,用以提高所述集成電路封裝結構的結構強度,和/或用以作為信號傳輸接口。
10.根據(jù)權利要求9所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述金屬表圈不覆蓋所述集成電路的頂部投射區(qū)域。
11.根據(jù)權利要求9所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述金屬表圈連接到所述第一基材層的所述第一頂面的部分導線電路是由焊錫或?qū)щ娔z來實現(xiàn)。
12.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述集成電路為影像傳感器。
13.根據(jù)權利要求12所述的集成電路封裝結構,其特征在于,一部分所述第一基材層被移除以形成一開口來暴露所述影像傳感器的感測部。
14.根據(jù)權利要求13所述的集成電路封裝結構,其特征在于,壩結構形成于所述第一基材層的所述第一底面,且環(huán)繞所述開口以防止所述填料層的填料由所述開口溢出。
15.根據(jù)權利要求12所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述影像傳感器為指紋傳感器或互補金屬氧化物半導體傳感器。
16.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述第二基材層或所述第一基材層的導線電路進一步形成線路天線。
17.根據(jù)權利要求1所述的集成電路封裝結構,其特征在于,所述第一基材層與所述第二基材層的材料為高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





