[發明專利]波導有效
| 申請號： | 201910818569.1 | 申請日： | 2019-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN110873927B | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | C·鮑多特;S·蓋爾貝;P·勒邁特瑞 | 申請（專利權）人： | 意法半導體（克洛爾2）公司;意法半導體(ALPS)有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/10 | 分類號： | G02B6/10;G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波導 | ||
1.一種波導，包括：
上游部分、下游部分、以及所述上游部分和所述下游部分之間的中間部分；
設置在絕緣層上的第一波帶，所述第一波帶沿著第一方向定向；以及
設置在所述第一波帶的任一側的第一側向條帶和第二側向條帶，所述第一側向條帶和所述第二側向條帶沿著所述中間部分變薄或者被中斷；
其中，沿著所述上游部分和所述下游部分，所述第一側向條帶和所述第二側向條帶被配置以使得旨在通過所述波導傳播的引導光學模式的有效光學折射指數一直到所述中間部分漸進地變化。
2.根據權利要求1所述的波導，其中所述第一側向條帶和所述第二側向條帶二者均與所述第一波帶接觸。
3.根據權利要求2所述的波導，其中所述第一側向條帶和所述第二側向條帶二者與所述第一波帶的相應側向面接觸。
4.根據權利要求1所述的波導，進一步包括：
鄰近所述第一側向條帶設置的第二波帶，其中所述第一側向條帶被設置在所述第二波帶和所述第一波帶之間；以及
鄰近所述第二側向條帶設置的第三波帶，其中所述第二側向條帶被設置在所述第三波帶和所述第一波帶之間。
5.根據權利要求4所述的波導，其中所述第二波帶和所述第三波帶與所述第一波帶平行。
6.根據權利要求4所述的波導，其中所述第二波帶和所述第三波帶沿著所述中間部分包括吸收材料，所述吸收材料被配置為吸收旨在通過所述波導傳播的信號的波長。
7.根據權利要求6所述的波導，其中所述吸收材料選自包括如下項的組：硅化物、鍺、碳化硅、鍺-硅、錫、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、銅、以及這些材料的合金或者混合物。
8.根據權利要求1所述的波導，其中所述第一側向條帶和所述第二側向條帶中的每個側向條帶沿著所述中間部分被中斷，并且其中所述第一側向條帶和所述第二側向條帶的寬度沿著所述上游部分和所述下游部分中的每個部分一直到所述中間部分漸進地減少。
9.根據權利要求1所述的波導，其中所述第一側向條帶和所述第二側向條帶中的每個側向條帶沿著所述中間部分變薄，并且沿著所述上游部分和所述下游部分中的每個部分，所述第一側向條帶和所述第二側向條帶中的每個側向條帶包括上部分，所述上部分具有一直到所述中間部分減少的寬度。
10.根據權利要求1所述的波導，其中所述中間部分是縱長地彎曲的。
11.根據權利要求1所述的波導，其中所述絕緣層是絕緣體上半導體類型的結構。
12.根據權利要求1所述的波導，其中所述第一波帶、所述第一側向條帶和所述第二側向條帶均被限定在絕緣體上半導體結構的半導體層中。
13.根據權利要求1所述的波導，其中所述第一波帶、所述第一側向條帶和所述第二側向條帶均置于絕緣體上半導體結構的所述絕緣層上并且與所述絕緣層接觸。
14.一種集成光子電路，包括至少一個根據權利要求1所述的波導。
15.一種濾除光信號的雜散模式的方法，所述方法包括：
傳播通過波導而傳播的光學信號，所述波導包括：
上游部分、下游部分、以及所述上游部分和所述下游部分之間的中間部分；
設置在絕緣層上的第一波帶，所述第一波帶沿著第一方向定向；以及
設置在所述第一波帶的任一側的第一側向條帶和第二側向條帶，所述第一側向條帶和所述第二側向條帶沿著所述中間部分變薄或者被中斷；
其中，沿著所述上游部分和所述下游部分，所述第一側向條帶和所述第二側向條帶被配置以使得旨在通過所述波導傳播的引導光學模式的有效光學折射指數一直到所述中間部分漸進地變化。
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